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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X17 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | COMPLEX |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 20 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X17 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 17 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FM2100 | RECTRON |
获取价格 |
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 20 to 100 Volts CURRENT 2.0 Ampere |
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| FM2100 | FORMOSA |
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Silicon epitaxial planer type |
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| FM2100A | RECTRON |
获取价格 |
Reverse Voltage Vr : 100 V;Forward Current Io : 2.0 A;Max Surge Current : 60 A;Forward Vol |
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| FM2100A-T | RECTRON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 |
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| FM2100A-W | RECTRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 |
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| FM2100C | RECTRON |
获取价格 |
Reverse Voltage Vr : 100 V;Forward Current Io : 2.0 A;Max Surge Current : 60 A;Forward Vol |
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| FM2100-C | FORMOSA |
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Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type |
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| FM2100L | RECTRON |
获取价格 |
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE RANGE 20 to 200 Volts CURRENT 2.0 Ampere |
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| FM2100-L | FORMOSA |
获取价格 |
Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type |
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| FM2100-LN | FORMOSA |
获取价格 |
Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type |
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