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FM2100

更新时间： 2024-09-25 22:31:59
品牌 Logo 应用领域
美丽微 - FORMOSA 二极管光电二极管瞄准线功效
页数 文件大小 规格书
2页 72K
描述
Silicon epitaxial planer type

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FM2100 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.06
其他特性：LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.85 V
JEDEC-95代码：DO-214ACJESD-30 代码：R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向电流：500 µA
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：FLAT
端子位置：DUALBase Number Matches：1

FM2100 数据手册

 浏览型号FM2100的Datasheet PDF文件第2页 
Chip Schottky Barrier Diodes  
Formosa MS  
FM220 THRU FM2100  
Silicon epitaxial planer type  
Features  
SMA  
Plastic package has Underwriters Laboratory  
FlammabilityClassification 94V-O Utilizing Flame  
RetardantEpoxy Molding Compound.  
0.185(4.8)  
0.177(4.4)  
0.012(0.3) Typ.  
For surface mounted applications.  
0.110(2.8)  
0.094(2.4)  
Exceeds environmental standards of MIL-S-19500 /  
228  
0.165(4.2)  
0.150(3.8)  
Low leakage current.  
0.067(1.7)  
0.060(1.5)  
0.040(1.0) Typ.  
0.040 (1.0) Typ.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Mechanical data  
Case : Molded plastic, JEDECDO-214AC  
Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
Polarity : Indicated by c athode band  
Mounting Position : Any  
Weight : 0.0017 ounce, 0.057 gram  
o
MAXIMUM RATINGS (AT TA=25 C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
CONDITIONS  
Symbol  
IO  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
2.0  
UNIT  
A
Forward rectified current  
See Fig.1  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rate load (JEDEC methode)  
Forward surge current  
IFSM  
50  
A
o
VR = VRRM TA = 25 C  
0.5  
10  
mA  
mA  
Reverse current  
IR  
o
VR = VRRM TA = 125 C  
o
Thermal resistance  
Junction to ambient  
Rq  
75  
C / w  
pF  
JA  
Diode junction capacitance  
Storage temperature  
f=1MHz and applied 4vDC reverse voltage  
CJ  
160  
o
TSTG  
-55  
+150  
C
Operating  
*1  
*2  
*3  
*4  
MARKING  
V
V
V
V
RRM  
RMS  
R
F
temperature  
SYMBOLS  
CODE  
o
( C)  
(V)  
20  
(V)  
14  
(V)  
20  
(V)  
FM220  
FM230  
FM240  
FM250  
FM260  
FM280  
FM2100  
SK22  
SK23  
SK24  
SK25  
SK26  
SK28  
S210  
30  
40  
21  
28  
35  
42  
56  
70  
30  
40  
0.50  
-55 to +125  
*1 Repetitive peak reverse voltage  
*2 RMS voltage  
50  
50  
0.70  
60  
60  
-55 to +150  
*3 Continuous reverse voltage  
*4 Maximum forward voltage  
80  
80  
0.85  
100  
100  
12

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与FM2100相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FM2100A RECTRON

获取价格

 		Reverse Voltage Vr : 100 V;Forward Current Io : 2.0 A;Max Surge Current : 60 A;Forward Vol
FM2100A-T RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2
FM2100A-W RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2
FM2100C RECTRON

获取价格

 		Reverse Voltage Vr : 100 V;Forward Current Io : 2.0 A;Max Surge Current : 60 A;Forward Vol
FM2100-C FORMOSA

获取价格

 		Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
FM2100L RECTRON

获取价格

 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE RANGE 20 to 200 Volts CURRENT 2.0 Ampere
FM2100-L FORMOSA

获取价格

 		Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
FM2100-LN FORMOSA

获取价格

 		Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
FM2100L-W RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode,
FM2100-M FORMOSA

获取价格

 		Silicon epitaxial planer type

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