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FM2100A

更新时间： 2024-09-27 18:09:51
品牌 Logo 应用领域
RECTRON /
页数 文件大小 规格书
8页 117K
描述
Reverse Voltage Vr : 100 V;Forward Current Io : 2.0 A;Max Surge Current : 60 A;Forward Voltage Vf : 0.85 V;Reverse Current Ir : 5 uA;Recovery Time : N/A;Package / Case : DO-214AC(SMA);Mounting Style : SMD/SMT;Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101

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FM2100A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-214AC
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.51
其他特性：HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：60 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：265认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

FM2100A 数据手册

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FM2100A  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY  
BARRIER RECTIFIER  
VOLTAGE 100 Volts CURRENT 2.0 Ampere  
FEATURES  
* Ideal for surface mounted applications  
* Low leakage current  
* Metallurgically bonded construction  
* Mounting position: Any  
* Weight: 0.098 gram  
DO-214AC  
MECHANICAL DATA  
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O  
0.067 (1.70 )  
0.051 (1.29 )  
0.110 ( 2.79 )  
0.086 ( 2.18 )  
0.180 ( 4.57 )  
0.160 ( 4.06 )  
0.012 ( 0.305 )  
0.006 ( 0.152 )  
0.091 ( 2.31 )  
0.067 ( 1.70 )  
0.059 ( 1.50 )  
0.035 ( 0.89 )  
0.008 ( 0.203 )  
0.004 ( 0.102 )  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Resistive or inductive load.  
0.209 ( 5.31 )  
0.185 ( 4.70 )  
Dimensions in inches and (millimeters)  
O
MAXIMUM RATINGS (@ T  
A
=25 C unless otherwise noted)  
SYMBOL  
FM2100A  
100  
UNITS  
Volts  
Volts  
Volts  
RATINGS  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
70  
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
Maximum Average Forward Rectified Current  
at Ambient Temperature  
IO  
2.0  
Amps  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
IFSM  
I2T  
60  
Amps  
A2S  
Typical Current Square Time  
14.9  
Typical Thermal Resistance (Note 1)  
Typical Thermal Resistance (Note 1)  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
Operating Temperature Range  
R
R
75  
17  
0C/W  
0C/W  
pF  
ꢀ
ꢀ
J A  
J L  
CJ  
TJ  
130  
150  
0 C  
Storage Temperature Range  
TSTG  
-55 to + 150  
0 C  
O
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(@T  
A
=25 C unless otherwise noted)  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
VF  
FM2100A  
UNITS  
Volts  
mA  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 2.0A DC  
.85  
0.1  
1
@TA = 25oC  
Maximum Average Reverse Current  
IR  
at Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 125oC  
mA  
2013-04  
REV: B  
NOTES : 1. Thermal Resistance :Mounted on PCB.  
2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.  
3. "Fully ROHS compliant","100% Sn plating (Pb-free)".  
4. Available in Halogen-free epoxy by adding suffix -HF after the part nbr.  
12345678

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与FM2100A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FM2100A-T RECTRON

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2
FM2100A-W RECTRON

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2
FM2100C RECTRON

获取价格

 		Reverse Voltage Vr : 100 V;Forward Current Io : 2.0 A;Max Surge Current : 60 A;Forward Vol
FM2100-C FORMOSA

获取价格

 		Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
FM2100L RECTRON

获取价格

 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE RANGE 20 to 200 Volts CURRENT 2.0 Ampere
FM2100-L FORMOSA

获取价格

 		Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
FM2100-LN FORMOSA

获取价格

 		Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
FM2100L-W RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode,
FM2100-M FORMOSA

获取价格

 		Silicon epitaxial planer type
FM2100-M PACELEADER

获取价格

 		SILICON EPITAXIAL PLANCE TYPE

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