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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.92 |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W | 子类别： | FET General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FM1106B-SE | RAMTRON |
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暂无描述 |
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| FM1106B-SETR | RAMTRON |
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D Flip-Flop |
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| FM1106-GA | RAMTRON |
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Nonvolatile 3V Dual State Saver |
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| FM1106-GATR | RAMTRON |
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Nonvolatile 3V Dual State Saver |
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| FM1107 | RAMTRON |
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Nonvolatile 3V Dual State Saver |
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| FM1108 | NSC |
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TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,35V V(BR)DSS,10MA I(DSS),TO-99 |
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| FM1108-100DC | ETC |
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NVRAM (Ferroelectric Based) |
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| FM1108-100PC | ETC |
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NVRAM (Ferroelectric Based) |
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| FM1108-100SC | ETC |
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NVRAM (Ferroelectric Based) |
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| FM1108-150DC | ETC |
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NVRAM (Ferroelectric Based) |
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