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FLU10ZM

更新时间: 2024-02-06 18:24:44
品牌 Logo 应用领域
EUDYNA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 235K
描述
L-Band Medium & High Power GaAs FET

FLU10ZM 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLATPACK, R-PQFP-F4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.3Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:15 VFET 技术:JUNCTION
最高频带:L BANDJESD-30 代码:R-PQFP-F4
元件数量:1端子数量:4
工作模式:DEPLETION MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches:1

FLU10ZM 数据手册

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FLU10ZM  
L-Band Medium & High Power GaAs FET  
Recommended Bias Circuit and Internal Block Diagram (wide band tuning condition)  
<Board information>  
εr=3.5, t=0.8  
Unit : mm  
* Board was tuned for wide band performance with data shown on pages 4 and 5.  
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