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FLU10ZM

更新时间： 2024-02-06 14:38:30

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EUDYNA		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	235K
描述
L-Band Medium & High Power GaAs FET

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FLU10ZM 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLATPACK, R-PQFP-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.3	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	15 V	FET 技术：	JUNCTION
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PQFP-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

FLU10ZM 数据手册

FLU10ZM

L-Band Medium & High Power GaAs FET

■S-PARAMETER

+50j

+90°

+100j

+25j

1.0

+250j

∞

+10j

3.0

2.0GHz

100

3.0

±180°

0°

2.0GHz

3.0

Scale for |S₂₁

1.0

2.0GHz

-250j

-10j

1.0

0.4

-25j

-100j

0.6

-90°

S12

S21

S11

S22

-50j

V_DS= 10V, I_DS= 180mA

S21

Freq

[GHz

0.5

1.5

2.5

3.5

S11

S12

S22

MAG

0.88

0.78

0.75

0.72

0.71

0.69

0.73

0.76

0.79

0.80

ANG

MAG

9.02

5.90

4.31

3.45

2.85

2.41

2.05

1.74

1.48

1.25

ANG

126.68

96.81

76.65

60.18

43.48

27.24

11.34

-3.63

MAG

0.05

0.06

0.07

0.08

0.09

ANG

48.61

27.98

19.62

13.94

8.34

MAG

0.37

0.30

0.27

0.25

0.22

0.20

0.19

0.22

0.27

0.34

ANG

-82.82

-52.39

-78.22

-91.11

-128.10

-153.80

-174.63

165.70

145.11

126.72

112.29

100.63

93.48

-101.36

-114.34

-128.63

-153.74

179.95

161.06

146.70

4.74

-1.38

-7.63

-13.21

-16.94

4.5

-17.87

-30.30

1 234 5 6 7 8

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