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FLU10ZM

更新时间： 2024-01-07 07:02:50

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EUDYNA		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	235K
描述
L-Band Medium & High Power GaAs FET

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FLU10ZM 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLATPACK, R-PQFP-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.3	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	15 V	FET 技术：	JUNCTION
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PQFP-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

FLU10ZM 数据手册

FLU10ZM

L-Band Medium & High Power GaAs FET

OUTPUT POWER & DRAIN CURRENT vs. INPUT POWER with a wide band tuning condition.

@ V_DS= 10V, I_DS= 150mA, V_GS= -0.9V

Pin-Pout, Ids & P.A.E. @f=1.8GHz

Pin-Pout, Ids & P.A.E. @f=2.0GHz

300

260

220

180

140

100

300

260

220

180

140

100

Pout

Ids[mA]

P.A.E.

Ids[mA]

P.A.E.

8 10 12 14 16 18 20 22 24 26

Input Power [dBm]

8 10 12 14 16 18 20 22 24 26

Input Power [dBm]

OUTPUT POWER vs. FREQUENCY

Pin-Pout, Ids & P.A.E. @f=2.2GHz

300

Pout

Pin=25dBm

Pin=20dBm

P1dB

260

220

180

140

100

Ids[mA]

P.A.E.

Pin=15dBm

Pin=10dBm

Pin=5dBm

1.7

1.9

2.1

2.3

8 10 12 14 16 18 20 22 24 26

Input Power [dBm]

Frequency[GHz]

1 2 345 6 7 8

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