FL10KM-12A

更新时间： 2024-01-10 14:30:21

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描述
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE

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FL10KM-12A 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.37
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	1.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FL10KM-12A 数据手册

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

FL10KM-12A

HIGH-SPEED SWITCHING USE

FL10KM-12A

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

10 ± 0.3

2.8 ± 0.2

φ 3.2 ± 0.2

1.1 ± 0.2

0.75 ± 0.15

2.54 ± 0.25

0.75 ± 0.15

2.54 ± 0.25

➀ ➁ ➂

➁

➀

➁

➂

GATE

DRAIN

SOURCE

➀

● 10V DRIVE

● VDSS ............................................................................... 600V

● rDS (ON) (MAX) ................................................................ 1.1Ω

● ID .........................................................................................10A

➂

TO-220FN

APPLICATION

Switch mode power supply, Inverter fluorescent

lamp, etc.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VDSS

VGSS

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Conditions

Ratings

Unit

VGS = 0V

VDS = 0V

600

±30

IDM

Drain current (Pulsed)

IDA

Avalanche drain current (Pulsed) L = 200µH

Maximum power dissipation

Channel temperature

Tch

–55 ~ +150

2000

°C

Tstg

Viso

—

Storage temperature

Isolation voltage

Weight

AC for 1minute, Terminal to case

Typical value

2.0

Sep.1998

12 3 4

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