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FJC1308R

更新时间： 2024-02-20 03:56:05

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	441K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-89, 3 PIN

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FJC1308R 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-89	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.34
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FJC1308R 数据手册

Typical Performance Characteristics

Figure 1. Static Characteristic

Figure 2. DC Current Gain

-1400

1000

I_B= -7mA

V_CE= - 2V

-1200

Ta = 125°C

I_B= -6mA

-1000

Ta = 25

I_B= -5mA

-800

I_B= -4mA

Ta = - 40°C

100

-600

I_B= -3mA

-400

I_B= -2mA

-200

I_B= -1mA

-10m

-100m

-1

-10

-2

-4

-6

-8

-10

-12

-14

-16

V_CE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

I_C[A], COLLECTOR CURRENT

Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage

Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage

-10

I_C= 10 I_B

-1

Ta = 125°C

-1

-100m

-10m

-1m

Ta = - 40°C

Ta = 25°C

Ta = - 40°C

Ta = 25°C

Ta = 125°C

-0.1

-1m

-10m

-100m

-1

-10

-1m

-10m

-100m

-1

-10

I_C[A], COLLECTOR CURRENT

Figure 5. Base-Emitter On Voltage

Figure 6. Power Derating

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

-1.8

-1.6

-1.4

-1.2

-1.0

-0.8

-0.6

-0.4

V_CE= - 2V

125

25°C

- 40°C

-0.2

-0.0

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1.0

-1.2

-1.4

100

125

150

175

V_BE[V], BASE-EMITTER VOLTAGE

T_a[°C], AMIBIENT TEMPERATURE

www.fairchildsemi.com

FJC1308 Rev. B1

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