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FHC40LG

更新时间： 2024-01-01 10:11:31
品牌 Logo 应用领域
EUDYNA 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
5页 87K
描述
Super Low Noise HEMT

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FHC40LG 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.75其他特性：LOW NOISE
最小漏源击穿电压：2 V最大漏极电流 (ID)：0.01 A
FET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY最高频带：C BAND
JESD-30 代码：O-CRDB-F4端子数量：4
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FHC40LG 数据手册

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FHC40LG  
Super Low Noise HEMT  
FEATURES  
• Low Noise Figure: 0.3dB (Typ.)@f=4GHz  
• High Associated Gain: 15.5dB (Typ.)@f=4GHz  
• Lg ≤ 0.15µm, Wg = 280µm  
• Gold Gate Metallization for High Reliability  
• Cost Effective Ceramic Microstrip (SMT) Package  
• Tape and Reel Available  
DESCRIPTION  
The FH40LG is a Super High Electron Mobility Transistor  
(SuperHEMTTM) intended for general purpose, ultra-low noise and  
high gain amplifiers in the 2-12GHz frequency range. This device is  
packaged in a cost effective, low parasitic, hermetically sealed  
metal-ceramic package for high volume telecommunication, DBS,  
TVRO, VSAT or other low noise applications.  
Fujitsu’s stringent Quality Assurance Program assures the highest  
reliability and consistent performance.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Item  
Symbol  
Condition  
Unit  
Rating  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
3.5  
V
V
DS  
-3.0  
GS  
Note  
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
P
T
290  
-65 to +175  
175  
mW  
°C  
tot  
stg  
T
°C  
ch  
Note: Mounted on Al O board (30 x 30 x 0.65mm)  
2
3
Fujitsu recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 2 volts.  
DS  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 0.2 and -0.075 mA respectively with  
gate resistance of 4000Ω.  
3. The operating channel temperature (T ) should not exceed 80°C.  
ch  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Limit  
Typ.  
Item  
Symbol  
Condition  
Unit  
Min.  
Max.  
Saturated Drain Current  
Transconductance  
I
V
V
= 2V, V  
= 0V  
GS  
10  
45  
40  
85  
-
mA  
mS  
DSS  
DS  
= 2V, I  
=10mA  
g
65  
DS  
DS  
m
V
I
= 2V, I  
DS  
=1mA  
-0.1  
Pinch-off Voltage  
V
p
-1.0  
-
-2.0  
-
V
DS  
Gate Source Breakdown Voltage  
V
= -10µA  
-3.0  
-
V
dB  
GSO  
NF  
GS  
0.40  
-
Noise Figure  
0.30  
V
= 2V, I  
DS  
= 10mA,  
DS  
f = 4GHz  
Associated Gain  
14.0 15.5  
220  
G
dB  
as  
Thermal Resistance  
R
th  
Channel to Case  
-
300  
°C/W  
AVAILABLE CASE STYLES: LG  
Note: RF parameters for LG devices are measured on a sample basis as follows:  
Lot qty.  
Sample qty.  
125  
Accept/Reject  
(0,1)  
1200  
1201  
3201  
or  
to  
to  
less  
3200  
10000  
over  
200  
315  
500  
(0,1)  
(1,2)  
(1,2)  
10001 or  
Edition 1.1  
July 1999  
1
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FHC40LP FUJITSU

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