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FGD3N60LSDTM PDF预览

FGD3N60LSDTM

更新时间： 2024-01-20 16:04:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 电动机控制栅瞄准线双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 1101K
描述
IGBT，600V，3A，1.2V，DPAK，平面

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FGD3N60LSDTM 数据手册

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Electrical Characteristics of DIODE  
T
= 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min. Typ. Max. Units  
VFM  
Diode Forward Voltage  
IF = 3A  
TC  
TC = 100°C  
TC 25°C  
TC = 100°C  
TC 25°C  
C = 100°C  
TC 25°C  
TC = 100°C  
=
25°C  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
1.5  
1.55  
234  
--  
1.9  
--  
V
ns  
A
trr  
Diode Reverse Recovery Time  
IF = 3A,  
di/dt = 100A/us  
VR = 200V  
=
--  
--  
Irr  
Diode Peak Reverse Recovery Current  
Diode Reverse Recovery Charge  
=
2.64  
--  
--  
T
--  
Qrr  
=
309  
--  
--  
nC  
--  
www.onsemi.com  
3
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
FGD3N60LSDTM-T ONSEMI IGBT，600V，3A，1.2V，DPAK，平面

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