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FGD3440G2-F085

更新时间： 2024-02-26 19:50:06

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安森美 - ONSEMI		栅双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	1260K
描述
IGBT，400V，25A，1.30V，335mJ，DPAKEcoSPARK® II，N 沟道点火

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FGD3440G2-F085 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	DPAK, 3/2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	43 weeks 1 day	风险等级：	5.73
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	26.9 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN TVS DIODE AND RESISTOR
最大降落时间（tf）：	15 ns	门极发射器阈值电压最大值：	2.2 V
门极-发射极最大电压：	14 V	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	166 W
最大上升时间（tr）：	7 ns	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AUTOMOTIVE IGNITION	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	26 ns	标称断开时间 (toff)：	7.6 ns
最大开启时间（吨）：	11 ns	标称接通时间 (ton)：	3 ns
VCEsat-Max：	1.75 V	Base Number Matches：	1

FGD3440G2-F085 数据手册

Electrical Characteristics T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min Typ Max Units

Dynamic Characteristics

I_CE= 10A, V_CE= 12V,

_GE= 5V

Q_G(ON)Gate Charge

T_J= 25^oC

T_J= 150^oC

1.3

1.7

2.2

1.8

V_GE(TH)Gate to Emitter Threshold Voltage

I_CE= 1mA, V_CE= V_GE,

V_CE= 12V, I_CE= 1 0 A

0.75 1.2

V_GEP

Gate to Emitter Plateau Voltage

2 . 8

Switching Characteristics

t_d(ON)RCurrent Turn-On Delay Time-Resistive V_CE= 14V, R_L= 1Ω

_GE= 5V, R_G= 1KΩ

T_J= 25^oC,

1.0

2.0

5 . 3

2.3

μs

t_rR

Current Rise Time-Resistive

t_d(OFF)LCurrent Turn-Off Delay Time-Inductive V_CE= 300V, L = 1mH,

1 5

V_GE= 5V, R_G= 1KΩ

t_fL

Current Fall Time-Inductive

_CE=6.5A, T_J= 25^oC,

Thermal Characteristics

R_θJC

Thermal Resistance Junction to Case

0.9 ^oC/W

www.onsemi.com

1 2 345 6 7...9

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