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FGC1500B-130DS

更新时间： 2024-09-20 19:51:43
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 栅栅极
页数 文件大小 规格书
4页 53K
描述
Gate Turn-Off SCR, 780A I(T)RMS, 500000mA I(T), 6500V V(DRM), 6500V V(RRM), 1 Element, PRESSPACK-14

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FGC1500B-130DS 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X14
针数：14Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.2
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：750 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 VJESD-30 代码：O-CXDB-X14
通态非重复峰值电流：8000 A元件数量：1
端子数量：14最大通态电流：500000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-20 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：780 A断态重复峰值电压：6500 V
重复峰值反向电压：6500 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UNSPECIFIED触发设备类型：GATE TURN-OFF SCR
Base Number Matches：1

FGC1500B-130DS 数据手册

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MITSUBISHI GCT (Gate Commutated Turn-off) THYRISTOR  
FGC1500B-130DS  
HIGH POWER INVERTER USE  
PRESS PACK TYPE  
FGC1500B-130DS  
OUTLINE DRAWING  
Dimensions in mm  
CATHODE  
GATE  
CATHODE  
GATE  
CATHODE  
GATE  
GATE  
CATHODE  
0.2  
±
15  
CATHODE  
GATE  
(18)  
(3)  
0.2  
±
GATE  
CATHODE  
15  
● Symmetrical GCT Thyristor  
(φ64.8)  
φ3.5 ± 0.2  
2.2 ± 0.2 DEPTH  
φ63 ± 0.2  
● ITQRM Repetitive controllable on-state current .......... 1500A  
● IT(AV) Average on-state current ...................... 500A  
● VDRM Repetitive peak off-state voltage .................. 6500V  
● VRRM Repetitive peak reverse voltage ................... 6500V  
φ63 ± 0.2  
φ91MAX  
φ3.5 ± 0.2  
2.2 ± 0.2 DEPTH  
● Tj  
Operation junction temperature ..................... 125°C  
APPLICATION  
Current source inverters, DC choppers, Induction heaters, DC to DC converter.  
MAXIMUM RATINGS  
Conditions  
Parameter  
Voltage class  
6500  
Symbol  
VRRM  
VRSM  
Unit  
V
—
—
Repetitive peak reverse voltage  
Non-repetitive peak reverse voltage  
Repetitive peak off-state voltage  
Non-repetitive peak off-state voltage  
Long term DC stability voltage  
6500  
V
VGK = –2V  
VDRM  
VDSM  
6500  
V
VGK = –2V  
6500  
V
VGK = –2V, λ = 100 Fit  
VLTDS  
3600  
V
Symbol  
ITQRM  
Parameter  
Conditions  
Ratings  
1500  
Unit  
A
Repetitive controllable  
on-state current  
VDM = 3/4 VDRM, VD = 3000V, LC = 0.3µH, VRG = 20V  
Tj = 25/125°C, diGQ/dt = 2250A/µs  
Applied for all condition angles  
(see Fig. 1, 3)  
780  
500  
A
A
RMS on-state current  
Average on-state current  
Surge on-state current  
Current-squared, time integration  
IT(RMS)  
IT(AV)  
ITSM  
I2t  
f = 60Hz, sinewave θ = 180°, Tf = 66°C  
8
kA  
A2s  
One half cycle at 60Hz, Tj = 125°C start  
2.7 × 105  
Critical rate of rise of on-state VD = 3000V, IT = 1500A, CS = 0.2µF, RS= 5Ω  
diT/dt  
diR/dt  
A/µs  
A/µs  
1000  
1000  
current  
Tj = 25/125°C, f = 60Hz, IGM = 90A, diG/dt = 50A/µs (see Fig. 1, 2)  
Critical rate of rise of reverse  
recovery current  
IT = 1500A, VR = 3000V, Tj = 25/125°C  
CS = 0.2µF, RS = 5Ω  
(see Fig. 4, 5)  
10  
21  
V
V
Peak forward gate voltage  
Peak reverse gate voltage  
Peak forward gate current  
Peak reverse gate current  
Peak forward gate power dissipation  
Peak reverse gate power dissipation  
Average forward gate power dissipation  
Average reverse gate power dissipation  
Operation Junction temperature  
Storage temperature  
VFGM  
VRGM  
IFGM  
IRGM  
PFGM  
PRGM  
PFG(AV)  
PRG(AV)  
Tj  
900  
A
A
1500  
9
kW  
kW  
W
W
°C  
°C  
kN  
g
32  
180  
230  
–20 ~ 125  
–20 ~ 150  
18 ~ 24  
—
Tstg  
Mounting force required  
—
(Recommended value 20kN)  
Typical value 760g  
—
Weight  
Jul. 2002  
1234

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