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FF11MR12W1M1P_B11

更新时间： 2024-03-04 09:49:42

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FF11MR12W1M1P_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

AusgangskennlinieꢀMOSFETꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)

ÜbertragungscharakteristikꢀMOSFETꢀ(typisch)

transferꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)

I_Dꢀ=ꢀfꢀ(V_GS

I_Dꢀ=ꢀfꢀ(V_DS

)

V_GSꢀ=ꢀ15ꢀV

V_DSꢀ=ꢀ20ꢀV

200

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

T_vj= 150 °C

T_vj= 25°C

175

150

125

100

175

150

125

100

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

V_DS[V]

2,5

3,0

3,5

4,0

V_GS[V]

SchaltverlusteꢀMOSFETꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀMOSFETꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(I_D),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(I_D)

SchaltverlusteꢀMOSFETꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀMOSFETꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

V_GSꢀ=ꢀ-5ꢀVꢀ/ꢀ15ꢀVꢀ,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ3,9ꢀꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ3,9ꢀꢀΩ,ꢀV_DSꢀ=ꢀ600ꢀV

V_GSꢀ=ꢀ-5ꢀVꢀ/ꢀ15ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ100ꢀA,ꢀV_DSꢀ=ꢀ600ꢀV

3,0

15,0

E_on, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 125°C; E_off, T_vj= 150°C

E_on, T_vj= 150°C

E_off, T_vj= 125°C; E_off, T_vj= 150°C

E_on, T_vj= 150°C

13,5

12,0

10,5

9,0

2,5

2,0

1,5

1,0

0,5

0,0

7,5

6,0

4,5

3,0

1,5

0,0

100 125 150 175 200

I_D[A]

12 16 20 24 28 32 36 40

R_G[Ω]

Datasheet

Vꢀ2.0

2020-02-27

1 2 345 6 7

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