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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDZ294N
FDZ294N PDF预览

FDZ294N

更新时间： 2024-11-20 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 146K
描述
N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET

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FDZ294N 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：ULTRA THIN, BGA-9
针数：9Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.32
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.034 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PBGA-B9
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：9
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.7 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：BALL
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDZ294N 数据手册

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July 2005  
FDZ294N  
N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench® BGA MOSFET  
General Description  
Features  
Combining Fairchild’s advanced 2.5V specified  
PowerTrench process with state of the art BGA  
packaging, the FDZ294N minimizes both PCB space  
• 6 A, 20 V  
RDS(ON) = 23 mΩ @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 34 mΩ @ VGS = 2.5 V  
and RDS(ON)  
.
This BGA MOSFET embodies a  
• Occupies only 2.25 mm2 of PCB area.  
breakthrough in packaging technology which enables  
the device to combine excellent thermal transfer  
characteristics, high current handling capability, ultra-  
Less than 50% of the area of a SSOT-6  
low profile packaging, low gate charge, and low RDS(ON)  
.
• Ultra-thin package: less than 0.85mm height when  
mounted to PCB  
Applications  
• Outstanding thermal transfer characteristics:  
• Battery management  
• Battery protection  
4 times better than SSOT-6  
• Ultra-low Qg x RDS(ON) figure-of-merit  
• High power and current handling capability.  
D
GATE  
G
S
Index  
slot  
Top  
Bottom  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
20  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±12  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
6
10  
Power Dissipation for Single Operation  
1.7  
W
PD  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
72  
RθJA  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
E
FDZ294N  
7”  
8mm  
3000 units  
FDZ294N Rev. B3 (W)  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567...9

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与FDZ294N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDZ294N_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDZ298N FAIRCHILD

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 		N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET
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