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FDMS003N08C

更新时间： 2023-09-03 20:31:14

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安森美 - ONSEMI		/
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7页	1452K
描述
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80 V，147 A，3.1 mΩ

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FDMS003N08C 数据手册

Typical Characteristics T_J= 25 °C unless otherwise noted.

10000

1000

100

C_iss

I_D= 56 A

V_DD= 30 V

C_oss

V_DD= 40 V

V_DD= 50 V

C_rss

f = 1 MHz

_GS= 0 V

0.1

V_DS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

Q_g, GATE CHARGE (nC)

Figure 7. Gate Charge Characteristics

Figure8. C a p a c i t a n c e v s . D r a i n

to Source Voltage

100

150

120

_θJC= 1.0 ^oC/W

T_J= 25 ^oC

V_GS= 10 V

T_J= 100 ^o

V_GS= 6 V

T_J= 125 ^oC

0.001

0.01

0.1

100

1000

100

125

150

T_C, CASE TEMPERATURE (^oC)

t_AV, TIME IN AVALANCHE (ms)

Figure9. U n c l a m p e d I n d u c t i v e

Switching Capability

Figure10. Maximum Continuous Drain

Current vs. Case Temperature

1000

100

100000

10000

1000

100

SINGLE PULSE

R_θJC= 1.0 ^oC/W

_C= 25 ^oC

10 μs

100 μs

THIS AREA IS

LIMITED BY r_DS(on)

SINGLE PULSE

T_J= MAX RATED

R_θJC= 1.0 ^oC/W

1 ms

10 ms

CURVE BENT TO

MEASURED DATA

100 ms/DC

_C= 25 ^oC

0.1

10^-5

10^-4

10^-3

t, PULSE WIDTH (sec)

10^-2

10^-1

100 500

V_DS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 11. Forward Bias Safe

Operating Area

Figure 12. Single Pulse Maximum

Power Dissipation

www.onsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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