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FDH055N15A

更新时间： 2024-11-16 11:59:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 706K
描述
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 167A, 5.9m

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FDH055N15A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247
包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：4.54
Samacsys Description：MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：835 mJ配置：COMPLEX
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：156 A
最大漏极电流 (ID)：156 A最大漏源导通电阻：0.0059 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：2端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：429 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：668 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

FDH055N15A 数据手册

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April 2011  
FDH055N15A  
N-Channel PowerTrench MOSFET  
150V, 167A, 5.9mꢀ  
®
Features  
Description  
•
•
•
•
R
= 4.8mꢀ ( Typ.)@ V = 10V, I = 120A  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semi-  
DS(on)  
GS  
D
conductor’s advanced PowerTrench process that has been  
especially tailored to minimize the on-state resistance and yet  
maintain superior switching performance.  
Fast Switching Speed  
Low Gate Charge  
High Performance Trench Technology for Extremely Low  
R
Application  
DS(on)  
•
•
•
•
•
DC to DC Converters  
•
•
High Power and Current Handling Capability  
RoHS Compliant  
Synchronous Rectification for Server/Telecom PSU  
Battery Charger  
AC motor drives and Uninterruptible Power Supplies  
Off-line UPS  
TO-247  
G
D
S
o
MOSFET Maximum Ratings T = 25 C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
150  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
DSS  
GSS  
±20  
o
- Continuous (T = 25 C, Silicon Limited)  
167*  
118  
C
o
I
I
Drain Current  
- Continuous (T = 100 C, Silicon Limited)  
A
D
C
o
- Continuous (TC = 25 C, Package Limited)  
156  
Drain Current  
- Pulsed  
(Note 1)  
(Note 2,6)  
(Note 3)  
668  
A
mJ  
V/ns  
W
DM  
E
Single Pulsed Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
835  
AS  
dv/dt  
6.0  
o
(T = 25 C)  
429  
C
P
Power Dissipation  
D
o
o
- Derate above 25 C  
2.86  
W/ C  
o
T , T  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +175  
C
J
STG  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
o
T
300  
C
L
*Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature, Package limitation current is 156A.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Ratings  
0.35  
Units  
R
R
R
θJC  
o
Thermal Resistance, Case to Heat Sink (Typical)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
0.24  
C/W  
θCS  
θJA  
40  
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDH055N15A Rev. A4  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...9

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与FDH055N15A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDH1000 FAIRCHILD

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 		High Conductance Switching Diodes
FDH-100-T ADAM-TECH

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FDH1040 TOKO

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 		Fixed Inductors for Surface Mounting
FDH1040B TOKO

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 		Fixed Inductors for Surface Mounting
FDH1040B-R36M=P3 TOKO

获取价格

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 		Board Connector, 10 Contact(s), 4 Row(s), 0.2 inch Pitch, IDC Terminal, Black Insulator
FDH10G30 ADAM-TECH

获取价格

 		DIP Connector, 10 Contact(s), 4 Row(s), Male, 0.2 inch Pitch, IDC Terminal, Black Insulato
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 		DIP Connector, 10 Contact(s), 4 Row(s), Male, 0.2 inch Pitch, IDC Terminal, Gray Insulator

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