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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDD8647L
FDD8647L PDF预览

FDD8647L

更新时间： 2024-02-15 13:07:16
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 316K
描述
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40 V, 42 A, 9 mΩ

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FDD8647L 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：0.94
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：167027Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：FDD8647L-1Samacsys Released Date：2015-07-12 18:27:54
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：33 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：52 A
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.009 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：43 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD8647L 数据手册

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Typical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted  
10  
3000  
1000  
ID = 13 A  
8
Ciss  
VDD = 20 V  
6
Coss  
VDD = 15 V  
VDD = 25 V  
100  
10  
4
2
0
Crss  
f = 1 MHz  
= 0 V  
V
GS  
0.1  
1
10  
40  
150  
1
0
5
10  
Qg, GATE CHARGE (nC)  
15  
20  
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 7. Gate Charge Characteristics  
Figure8. C a p a c i t a n c e v s D r a i n  
to Source Voltage  
100  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
42  
10  
VGS = 10 V  
TJ = 25 oC  
Limited by Package  
RθJC = 2.9 oC/W  
TJ = 125 o  
C
VGS = 4.5 V  
1
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
25  
50  
75  
100  
125  
oC  
tAV, TIME IN AVALANCHE (ms)  
TC,  
CASE TEMPERATURE ( )  
Figure9. U n c l a m p e d I n d u c t i v e  
Switching Capability  
Figure10. Maximum Continuous Drain  
Current vs Case Temperature  
105  
200  
100  
VGS = 10 V  
104  
103  
102  
10  
10  
1
100 us  
SINGLE PULSE  
RθJC = 2.9 oC/W  
THIS AREA IS  
LIMITED BY rDS(on)  
TC = 25 oC  
1 ms  
SINGLE PULSE  
TJ = MAX RATED  
RθJC = 2.9 oC/W  
10 ms  
100 ms  
DC  
T
C = 25 oC  
0.1  
0.1  
10-6  
10-5  
10-4  
t, PULSE WIDTH (sec)  
10-3  
10-2  
10-1  
1
10  
100  
200  
VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 11. Forward Bias Safe  
Operating Area  
Figure12. Single Pulse Maximum  
Power Dissipation  
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD8647L Rev.C  
www.fairchildsemi.com  
4
123456

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FDD8647L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BUK7208-40B,118 NXP

功能相似

 		BUK7208-40B - N-channel TrenchMOS standard level FET DPAK 3-Pin

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