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FCH170N60

更新时间： 2023-09-03 20:30:14

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安森美 - ONSEMI		/
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11页	927K
描述
功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，FAST，600 V，22 A，170 mΩ，TO-247

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器件标识

器件

FCH170N60

封装

卷尺寸

带宽

数量

FCH170N60

TO-247

电气特性^T_C= 25°C 除非另有说明。

符号

关断特性

BV_DSS

参数

测试条件

最小值典型值最大值

单位

I_D= 10 mA,V_GS= 0 V,T_J= 25°C

I_D= 10 mA,V_GS= 0 V, T_J= 150°C

600

650

漏极－源极击穿电压

ΔBV_DSS

/ ΔT_J

击穿电压温度系数

0.67

V/°C

I_D= 10 mA, 参考25°C 数值

V_DS= 600 V, V_GS= 0 V

1.2

I_DSS

I_GSS

μA

零栅极电压漏极电流

V_DS= 480 V, V_GS= 0 V, T_C= 125°C

V_GS= ±20 V, V_DS= 0 V

±100

栅极- 体漏电流

导通特性

V_GS(th)

R_DS(on)

g_FS

V_GS= V_DS, I_D= 250 μA

V_GS= 10 V, I_D= 11 A

V_DS= 20 V, I_D= 11 A

2.5

3.5

170

mΩ

栅极阈值电压

150

漏极至源极静态导通电阻

正向跨导

动态特性

C_iss

2150

2860

输入电容

V_DS= 380 V, V_GS= 0 V

f = 1 MHz

C_oss

输出电容

C_rss

2.65

190

反向传输电容

C_{oss (eff.)}

Q_g(tot)

Q_gs

V_DS= 0 V 至480 V, V_GS= 0 V

有效输出电容

10 V 电压的栅极电荷总量

栅极- 源极栅极电荷

栅极- 漏极“ 米勒” 电荷

等效串联电阻

V_DS= 380 V, I_D= 11 A,

_GS= 10 V

（注4）

Q_gd

ESR

f = 1 MHz

0.95

开关特性

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

3.8

导通延迟时间

导通上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

V_DD= 380 V, I_D= 11 A,

_GS= 10 V, R_G= 4.7 Ω

120

（注4）

漏极- 源极二极管特性

I_S

1.2

漏极- 源极二极管最大正向连续电流

漏极- 源极二极管最大正向脉冲电流

漏极- 源极二极管正向电压

反向恢复时间

I_SM

V_SD

t_rr

V_GS= 0 V, I_SD= 11 A

346

6.2

μC

V_GS= 0 V, I_SD= 11 A

dI_F/dt = 100 A/μs

Q_rr

反向恢复电荷

注：

1. 重复额定值：脉冲宽度受限于最大结温

2. I = 5 A, R = 25 Ω, 开始于T = 25°C

3. I ≤ 11 A, di/dt ≤ 200 A/μs, V ≤ 380 V, 开始于T = 25°C

4. 本质上独立于操作温度的典型特性

FCH170N60 Rev. C2

www.fairchildsemi.com

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