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FCA22N60N

更新时间： 2024-11-19 11:15:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 352K
描述
功率 MOSFET，N 沟道，SUPREMOS®，FAST，600 V，22 A，165 mΩ，TO-3P

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FCA22N60N 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：1.56雪崩能效等级（Eas）：672 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A
最大漏极电流 (ID)：22 A最大漏源导通电阻：0.165 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：205 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：66 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FCA22N60N 数据手册

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2014 年 1 月  
FCA22N60N  
®
N 沟道 SupreMOS MOSFET  
600 V， 22 A， 165 m  
特性  
说明  
SupreMOS® MOSFET 是飞兆半导体的下一代高压超级结（SJ）  
技术，该技术采用区别于传统 SJ MOSFET 产品的深沟槽填充工  
艺。这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的 Rsp on-  
resistance （导 通 电 阻 规 格） ，卓 越 的 开 关 性 能 和 耐 用 性。  
SupreMOS MOSFET 产品非常适合高频开关电源转换器应用，  
如功率因数校正 (PFC)、服 务 器 / 电信电源、平板电视电源、ATX  
电源及工业电源应用。  
•
•
•
•
•
•
BVDSS > 650 V @ TJ = 150°C  
RDS(on) = 140 m(Typ.)@VGS = 10 V, ID = 11 A  
超低栅极电荷 （典型值 Qg = 45 nC）  
低有效输出电容 （典型值 Coss(eff.)= 196.4 pF）  
100% 经过雪崩测试  
符合 RoHS 标准  
应用  
•
•
•
PDP 电视  
太阳能逆变器  
AC-DC 电源  
D
G
G
D
TO-3PN  
S
S
MOSFET 最大额定值指的是 TC = 25°C 除非另有说明。  
FCA22N60N  
600  
符号  
VDSS  
VGSS  
参数  
单位  
V
漏极－源极电压  
栅极－源极电压  
±30  
V
22  
- 连续 (TC = 25°C)  
- 连续 (TC = 100°C)  
- 脉冲  
ID  
A
漏极电流  
13.8  
66  
IDM  
EAS  
IAR  
A
mJ  
A
漏极电流  
（注 1）  
（注 2）  
（注 1）  
（注 1）  
672  
单脉冲雪崩能量  
雪崩电流  
7.3  
EAR  
2.75  
100  
mJ  
重复雪崩能量  
MOSFET dv/dt  
dv/dt  
PD  
V/ns  
20  
二极管恢复 dv/dt 峰值  
（注 3）  
(TC = 25°C)  
205  
W
W/°C  
°C  
功耗  
1.64  
-55 至 +150  
300  
- 超过 25°C 时降额  
TJ, TSTG  
TL  
工作和存储温度范围  
°C  
用于焊接的最大引脚温度，距离外壳 1/8”，持续 5 秒  
热性能  
FCA22N60N  
符号  
RJC  
参数  
单位  
结至外壳热阻最大值  
0.61  
40  
°C/W  
结至环境热阻最大值  
RJA  
www.fairchildsemi.com  
©2009 飞兆半导体公司  
1
FCA22N60N Rev. C1  
12345678

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