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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FCA22N60N
FCA22N60N PDF预览

FCA22N60N

更新时间： 2024-11-18 06:58:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 528K
描述
N-Channel MOSFET 600V, 22A, 0.165W

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FCA22N60N 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-3PN
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：4.47
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：672 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A
最大漏极电流 (ID)：22 A最大漏源导通电阻：0.165 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：205 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：66 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FCA22N60N 数据手册

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July 2009  
SupreMOSTM  
tm  
FCA22N60N  
N-Channel MOSFET  
600V, 22A, 0.165Ω  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
R
= 0.140Ω ( Typ.)@ V = 10V, I = 11A  
The SupreMOS MOSFET, Fairchild’s next generation of high  
voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling  
process that differentiates it from preceding multi-epi based tech-  
nologies. By utilizing this advanced technology and precise pro-  
cess control, SupreMOS provides world class Rsp, superior  
switching performance and ruggedness.  
This SupreMOS MOSFET fits the industry’s AC-DC SMPS  
requirements for PFC, server/telecom power, FPD TV power,  
ATX power, and industrial power applications.  
DS(on)  
GS  
D
o
BV  
>650V @ T = 150 C  
J
DSS  
Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 45nC)  
Low Effective Output Capacitance  
100% Avalanche Tested  
RoHS Compliant  
D
D
G
TO-3PN  
G D S  
S
o
MOSFET Maximum Ratings  
T
= 25 C unless otherwise noted*  
C
Symbol  
Parameter  
FCA22N60N  
600  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
DSS  
GSS  
±30  
o
Continuous (T = 25 C)  
22  
C
I
Drain Current  
A
D
o
Continuous (T = 100 C)  
13.8  
66  
C
I
Drain Current  
Pulsed  
(Note 1)  
(Note 2)  
A
mJ  
A
DM  
E
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
672  
AS  
I
7.3  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
MOSFET dv/dt  
2.75  
20  
mJ  
AR  
(Note 3)  
dv/dt  
V/ns  
100  
o
(T = 25 C)  
205  
W
C
P
Power Dissipation  
D
o
o
Derate above 25 C  
1.64  
-55 to +150  
W/ C  
o
T , T  
Operating and Storage Temperature Range  
C
J
STG  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
o
T
300  
C
L
*Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction to Case  
FCA22N60N  
Units  
R
R
R
0.61  
0.24  
40  
θJC  
θJS  
θJA  
o
Thermal Resistance, Case to Heat Sink (Typical)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
C/W  
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
FCA22N60N Rev. A2  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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