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FBR804

更新时间： 2024-02-15 15:54:14
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EIC 快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS

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FBR804 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Contact ManufacturerReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.78配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.3 V
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：4
最大输出电流：8 A最大重复峰值反向电压：400 V
最大反向恢复时间：0.15 µs子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NOBase Number Matches：1

FBR804 数据手册

 浏览型号FBR804的Datasheet PDF文件第2页 
FAST RECOVERY  
BRIDGE RECTIFIERS  
FBR800 - FBR810  
PRV : 50 - 1000 Volts  
Io : 8.0 Amperes  
BR10  
0.520 (13.20)  
0.480 (12.20)  
FEATURES :  
f
0.158 (4.00)  
0.142 (3.60)  
AC  
* High case dielectric strength  
* High surge current capability  
* High reliability  
0.77 (19.56)  
0.73 (18.54)  
* Low reverse current  
0.290 (7.36)  
0.210 (5.33)  
* Low forward voltage drop  
* Fast switching for high efficiency  
* Ideal for printed circuit board  
AC  
0.052 (1.32)  
0.048 (1.22)  
0.75 (19.1)  
Min.  
MECHANICAL DATA :  
* Case : Reliable low cost construction  
utilizing molded plastic technique  
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant  
* Lead : Axial lead solderable per  
MIL - STD 202 , Method 208 guaranteed  
* Polarity : Polarity symbols marked on case  
* Mounting position : Any  
0.30 (7.62)  
0.25 (6.35)  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
* Weight : 6.1 grams  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
°
Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
FBR FBR FBR FBR FBR FBR FBR  
800 801 802 804 806 808 810  
RATING  
SYMBOL  
UNITS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
50  
35  
50  
100 200  
70 140  
100 200  
400 600 800 1000 Volts  
280 420 560 700 Volts  
400 600 800 1000 Volts  
DC  
V
Maximum DC Blocking Voltage  
°
F(AV)  
I
Maximum Average Forward Current Tc = 50 C  
8.0  
Amps.  
Peak Forward Surge Current Single half sine wave  
Superimposed on rated load (JEDEC Method)  
Current Squared Time at t < 8.3 ms.  
IFSM  
I2t  
200  
160  
1.3  
10  
Amps.  
A2S  
F
F
V
Maximum Forward Voltage drop per Diode at I = 4.0 Amps.  
Volts  
°
R
m
A
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
Ta = 25 C  
I
°
m
A
Ta = 100 C  
IR(H)  
200  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)  
Typical Thermal Resistance per diode (Note 2)  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
Trr  
150  
250  
500  
ns  
°
q
2.5  
R JC  
C/W  
J
°
C
T
- 50 to + 150  
- 50 to + 150  
STG  
°
C
T
Notes :  
F
R
1 ) Measured with I = 0.5 Amp., I = 1 Amp., Irr = 0.25 Amp.  
2 ) Thermal Resistance from junction to case with units mounted on a 3.2" x 3.2" x 0.12" THK (8.2cm.x 8.2cm.x 0.3cm.) Al. Plate. heatsink.  
UPDATE : APRIL 21, 1998  
12

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