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FA4A4P-T2B

更新时间： 2024-02-12 05:06:26

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瑞萨 - RENESAS		晶体管
页数	文件大小	规格书
24页	514K
描述
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-59

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FA4A4P-T2B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)：	85	元件数量：	1
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FA4A4P-T2B 数据手册

FA4xxx

Note 3.

PART NUMBER

UNIT

MIN.

7.00

TYP.

10.00

22.00

47.00

4.70

MAX.

13.00

28.60

61.10

6.11

MIN.

7.00

TYP.

10.00

22.00

47.00

4.70

MAX.

13.00

28.60

61.10

6.11

FA4A4M

FA4F4M

FA4L4M

FA4L3M

FA4L3N

FA4L3Z

FA4A3Q

FA4A4P

FA4F4N

FA4L4L

FA4A4Z

FA4F4Z

FA4L4Z

FA4F3M

FA4F3P

FA4F3R

FA4A4L

FA4L4K

kΩ

15.40

32.90

3.29

15.40

32.90

3.29

4.70

6.11

7.00

10.00

13.00

3.29

4.70

6.11

0.70

1.00

1.30

7.00

32.90

15.40

10.00

47.00

22.00

13.00

61.10

28.60

7.00

10.00

22.00

47.00

10.00

22.00

47.00

2.20

13.00

28.60

61.10

13.00

28.60

61.10

2.86

15.40

32.90

7.00

15.40

32.90

1.54

7.00

32.90

3.29

7.00

2.20

10.00

47.00

4.70

2.86

13.00

61.10

6.11

1.54

2.20

2.86

1.54

2.20

2.86

7.00

10.00

47.00

13.00

61.10

32.90

10.00

13.00

TOTAL POWER DISSIPATION vs.

AMBIENT TEMPERATURE

250

200

150

100

150

200

T^A- Ambient Temperature - °C

Data Sheet D16493EJ3V0DS

1 2 3 456 7 8...24

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与FA4A4P-T2B相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FA4A4Z	NEC	RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR	获取价格
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FA4A4Z-L-A	RENESAS	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-59	获取价格
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FA4A4Z-L-AT	NEC	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-59	获取价格