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ESL03B03-F

更新时间： 2024-01-20 07:10:08

品牌	Logo	应用领域
NIEC		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
6页	55K
描述
Schottky Barrier Diode

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ESL03B03-F 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.7	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.47 V	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	最大非重复峰值正向电流：	45 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	30 V	最大反向电流：	3000 µA
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

ESL03B03-F 数据手册

SBD Type : ESL03B03-F

OUTLINE DRAWING

FEATURES

* TO-252AA Case, Surface Mounting Device

* Extremely Low Forward Voltage drop

* Low Power Loss

* High Surge Capability

* Packaged in 16mm Tape and Reel

Maximum Ratings

Approx Net Weight:0.30g

ESL03B03-F

Symbol

V_RRM

Unit

Rating

Repetitive Peak Reverse Voltage

50Hz Half Sine Wave

Resistive Load

4.71

Average Rectified Output Current

RMS Forward Current

I_O

3.0

Tc=82°C

I_F(RMS)

I_FSM

50Hz Half Sine Wave,1cycle,

Non-repetitive

Surge Forward Current

Operating JunctionTemperature Range

Storage Temperature Range

Tjw

Tstg

- 40 to + 100

- 40 to + 125

°C

Electrical • Thermal Characteristics

Characteristics

Peak Reverse Current

Peak Forward Voltage

Symbol

I_RM

V_FMTj=25°C,I_FM= 3 A

Rth(j-c)

Conditions

Min Typ Max Unit

Tj=25°C,V_RM=V_RRM

3.0

0.47

°C/W

Thermal Resistance Junction to Case

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ESL03B03-FTRLH	NIEC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 30V V(RRM), Silicon, TO-252AA,
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