生命周期: | Obsolete | 包装说明: | O-XALF-W2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | O-XALF-W2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最大输出电流: | 0.005 A | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 8000 V |
最大反向恢复时间: | 0.1 µs | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ESJA54-08A | EXAR |
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5.0mA 8.0kV 80nS High Voltage Silicon Rectifier Diode | |
ESJA54-08A | HVGT |
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8.0kV 5mA HIGH VOLTAGE DIODES | |
ESJA54-08A | FUJI |
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High Voltage Silicon Diode | |
ESJA54-08A | SUNMATE |
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High voltage diode High voltage diode 6kv-8kv | |
ESJA54-08AT | ETC |
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HIGH VOLTAGE GP DIODE | |
ESJA56-24 | FUJI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.005A, 24000V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2 | |
ESJA56-24A | FUJI |
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High Voltage Silicon Diode | |
ESJA56-24A_16 | HVGT |
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5.0A 25kV--High voltage silicon rectifier diode | |
ESJA56-30A | KEMET |
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5.0mA 30kV 80nS High Voltage Silicon Rectifier Diode | |
ESJA56-30A_16 | HVGT |
获取价格 |
5.0A 30kV--High voltage silicon rectifier diode |