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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 24 V | JESD-30 代码： | O-XALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 0.5 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 120 °C |
| 最大输出电流： | 0.005 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 6000 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.08 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ESJA58-08 | FUJI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.005A, 8000V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2 |
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| ESJA58-08A | HVGT |
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8.0kV 5mA HIGH VOLTAGE DIODES |
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| ESJA58-08A | FUJI |
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High Voltage Silicon Diode |
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| ESJA58-08A | YAMAICHI |
获取价格 |
5.0mA 8.0kV 80nS High Voltage Silicon Rectifier Diode |
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| ESJA58-08A | SUNMATE |
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High voltage diode High voltage diode 6kv-8kv |
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| ESJA58-08AT | ETC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE GP DIODE |
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| ESJA59-10 | FUJI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.005A, 10000V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2 |
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| ESJA59-10A | VISHAY |
获取价格 |
5.0mA 10kV 80nS High Voltage Silicon Rectifier Diode |
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| ESJA59-10A | FUJI |
获取价格 |
High Voltage Silicon Diode |
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| ESJA59-10A | SUNMATE |
获取价格 |
High voltage diode High voltage diode 10kv-12kv |
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