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ESDSLC16VLB-TP-HF

更新时间: 2024-11-18 14:50:07
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
3页 651K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 30W, 16V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DFN1006-2, 2 PIN

ESDSLC16VLB-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:DFN1006-2, 2 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.77其他特性:ULTRA LOW CAPACITANCE
最小击穿电压:18 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PBCC-N2湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:30 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
极性:BIDIRECTIONAL参考标准:IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压:16 V表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOMBase Number Matches:1

ESDSLC16VLB-TP-HF 数据手册

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M C C  
TM  
Micro Commercial Components  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ESDSLC16VLB  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ   ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
·
·
·
Ultra Low Capacitance 0.7pF typical  
ESD Protection  
Device  
Operating Voltage: 16 V  
Low clamping voltage  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
·
DFN1006-2  
Marking:ZZ  
A
Maximum Ratings  
C
Junction Temperature: -55°C to +125°C  
StorageTemperature: -55°C to +150°C  
B
D
Parameter  
IEC61000-4-2(ESD)  
Symbol Limits unit  
-
Contact  
8  
VESD  
KV  
Peak Pulse Power (8/20us)  
Peak Pulse Current (8/20us)  
Ppk  
Ipp  
30  
W
A
F
H
1
H
-
G
Internal Structure  
1
2
L
DIMENSIONS  
INCHES  
MM  
DIM  
NOTE  
MIN  
0.018  
0.000  
MAX  
0.022  
0.002  
MIN  
0.45  
0.00  
MAX  
0.55  
0.05  
A
B
C
D
E
F
0.005  
0.037  
0.022  
0.007  
0.041  
0.026  
0.12  
0.95  
0.55  
0.18  
1.05  
0.65  
0.026 REF.  
0.650 REF.  
G
H
L
0.45  
0.07  
0.20  
0.55  
0.17  
0.30  
0.018  
0.003  
0.008  
0.022  
0.007  
0.012  
Suggested Solder  
Pad Layout  
(mm)  
0.5  
1.3  
0.8  
0.3  
0.6  
www.mccsemi.com  
Revision:A  
2015/01/29  
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