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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> ESDR0502BT1G
ESDR0502BT1G PDF预览

ESDR0502BT1G

更新时间： 2024-01-04 17:27:12
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 124K
描述
Transient Voltage Suppressor ESD Protection Diodes with Ultra−Low Capacitance

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ESDR0502BT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-75
包装说明：S-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.8
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：S-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

ESDR0502BT1G 数据手册

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ESDR0502B  
IEC61000−4−2 Waveform  
IEC 61000−4−2 Spec.  
I
peak  
Test  
Voltage  
(kV)  
First Peak  
Current  
(A)  
100%  
90%  
Current at  
30 ns (A)  
Current at  
60 ns (A)  
Level  
1
2
3
4
2
4
6
8
7.5  
15  
4
8
2
4
6
8
I @ 30 ns  
22.5  
30  
12  
16  
I @ 60 ns  
10%  
t
P
= 0.7 ns to 1 ns  
Figure 3. IEC61000−4−2 Spec  
Oscilloscope  
ESD Gun  
TVS  
50 W  
Cable  
50 W  
Figure 4. Diagram of ESD Test Setup  
The following is taken from Application Note  
AND8308/D − Interpretation of Datasheet Parameters  
for ESD Devices.  
systems such as cell phones or laptop computers it is not  
clearly defined in the spec how to specify a clamping voltage  
at the device level. ON Semiconductor has developed a way  
to examine the entire voltage waveform across the ESD  
protection diode over the time domain of an ESD pulse in the  
form of an oscilloscope screenshot, which can be found on  
the datasheets for all ESD protection diodes. For more  
information on how ON Semiconductor creates these  
screenshots and how to interpret them please refer to  
AND8307/D.  
ESD Voltage Clamping  
For sensitive circuit elements it is important to limit the  
voltage that an IC will be exposed to during an ESD event  
to as low a voltage as possible. The ESD clamping voltage  
is the voltage drop across the ESD protection diode during  
an ESD event per the IEC61000−4−2 waveform. Since the  
IEC61000−4−2 was written as a pass/fail spec for larger  
100  
t
r
PEAK VALUE I  
@ 8 ms  
RSM  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
PULSE WIDTH (t ) IS DEFINED  
P
AS THAT POINT WHERE THE  
PEAK CURRENT DECAY = 8 ms  
HALF VALUE I /2 @ 20 ms  
RSM  
t
P
10  
0
0
20  
40  
t, TIME (ms)  
60  
80  
Figure 5. 8 X 20 ms Pulse Waveform  
http://onsemi.com  
3
1234

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ESDR0502BT1G 替代型号

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