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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> ESDR0502BT1G
ESDR0502BT1G PDF预览

ESDR0502BT1G

更新时间： 2024-02-29 16:06:54
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 124K
描述
Transient Voltage Suppressor ESD Protection Diodes with Ultra−Low Capacitance

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ESDR0502BT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-75
包装说明：S-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.8
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：S-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

ESDR0502BT1G 数据手册

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ESDR0502B  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(T = 25°C unless otherwise noted)  
A
I
Symbol  
Parameter  
Maximum Reverse Peak Pulse Current  
Clamping Voltage @ I  
I
F
I
PP  
V
C
PP  
V
RWM  
Working Peak Reverse Voltage  
V
C
V
V
BR RWM  
I
Maximum Reverse Leakage Current @ V  
V
R
RWM  
I
V
F
R
T
I
V
BR  
Breakdown Voltage @ I  
Test Current  
T
I
T
I
F
Forward Current  
I
PP  
V
F
Forward Voltage @ I  
F
P
Peak Power Dissipation  
Capacitance @ V = 0 and f = 1.0 MHz  
pk  
Uni−Directional TVS  
C
R
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted, V = 1.1 V Max. @ I = 10 mA for all types)  
A
F
F
V
(V)  
C (pF),  
uni−directional  
(Note 3)  
C (pF),  
bi−directional  
(Note 4)  
V (V)  
C
BR  
V
I
(mA)  
@ I  
@ I = 1 A  
RWM  
(V)  
R
T
PP  
@ V  
(Note 2)  
(Note 5)  
I
T
V
C
RWM  
Per  
IEC61000−  
4−2  
Device  
Max  
Max  
1.0  
Min  
mA  
Typ  
Max  
Typ  
Max  
Max  
(Note 6)  
Marking  
Device  
ESDR0502B  
AD  
5.0  
5.8  
1.0  
0.5  
0.9  
0.25  
0.45  
15  
Figures 1  
and 2  
2. V is measured with a pulse test current I at an ambient temperature of 25°C.  
BR  
T
3. Uni−directional capacitance at f = 1 MHz, V = 0 V, T = 25°C (pin1 to pin 3; pin 2 to pin 3).  
R
A
4. Bi−directional capacitance at f = 1 MHz, V = 0 V, T = 25°C (pin1 to pin 2).  
R
A
5. Surge current waveform per Figure 5.  
6. Typical waveform. For test procedure see Figures 3 and 4 and Application Note AND8307/D.  
Figure 2. ESD Clamping Voltage Screenshot  
Figure 1. ESD Clamping Voltage Screenshot  
Negative 8 kV contact per IEC 61000−4−2  
Positive 8 kV contact per IEC 61000−4−2  
http://onsemi.com  
2
 
1234

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