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ESDLIN1524BJ(24V)

更新时间： 2024-02-27 22:21:24

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		局域网光电二极管电视
页数	文件大小	规格书
8页	179K
描述
160W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2

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技术参数
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ESDLIN1524BJ(24V) 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.8	最大击穿电压：	30.3 V
最小击穿电压：	25.4 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	最大非重复峰值反向功率耗散：	160 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性：	BIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	24 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

ESDLIN1524BJ(24V) 数据手册

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Characteristics

ESDLIN1524BJ

Characteristics

Table 3.

Symbol

Electrical characteristics (T

Parameter

= 25° C)

amb

V_RM

V_BR

V_CL

I_RM

I_R

Stand-off voltage

Breakdown voltage

Clamping voltage

V_CLV_BRV_RM

Leakage current @ V_RM

Breakdown current @ V_BR

Peak pulse current

V_RMV_BRV_CL

I_PP

Junction capacitance

(1)

I_RM@V_RM

V_BR@ I_R

V_{CL max}@ I_PP8/20 µs

C ⁽²⁾

αT⁽³⁾

10^-4/°C

Max

Types

Typ Max

Min Typ Max

Typ Max

ESDLIN1524BJ(15V)

ESDLIN1524BJ(24V)

50 15 17.1 18.9 20.3

50 24 25.4 27.8 30.3

8.8

9.6

1. Pulse test: t_p< 50 ms

2. V_R= 0 V, F= 1 MHz

3. ∆V_BR= αT x (T_amb-25) x V_{BR(25° C)}

Figure 1.

Relative variation of peak pulse

power versus initial junction

temperature

Figure 2.

Peak pulse power versus

exponential pulse duration

P_PP(W)

P_PP[Tj initial] / P_PP[Tj initial=25°C]

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

1.E+03

1.E+02

1.E+01

Tj initial =25 °C

T_J(°C)

t_P(µs)

100

125

150

175

100

2/7

123 4 5 6 7 8

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