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ESDBL0512HP-AH

更新时间： 2024-11-18 14:51:47

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先科 - SWST		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	176K
描述
静电保护二极管

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ESDBL0512HP-AH 数据手册

ESDBL0512HP-AH

ESD Protection Diode

Features

• AEC-Q101 Qualified

• Very low diode capacitance

• Low clamping voltage

• Ultra low leakage current

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

PINNING

DESCRIPTION

Anode

Applications

Transparent top view

Simplified outline DFN1006-2H and symbol

• Computers and peripherals

• Audio and video equipment

• Cellular handsets and accessories

• SIM card protection

• Communication systems

• Portable electronics

• 10/100 Mbit/s Ethernet

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

P_PK

Value

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

I_PP

4.8

Air

Contact

ESD per IEC 61000-4-2

V_ESD

± 30

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

125

T_j

℃

- 55 to + 150

T_stg

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Working Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 5 mA

V_(BR)R

5.8

7.8

Reverse Current

at V_RWM= 5 V

I_R

Clamping Voltage

at I_PP= 4.8 A, tp = 8/20 µs

V_C

12.5

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 100 ns, tn = 0.2ns

at I_TLP=16 A, tp = 100 ns, tn = 0.2ns

V_CL

11.9

Diode Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_D

R_DYN

0.32

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16 A .

1 / 3

Dated: 08/05/2023 Rev : 01

12 3

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