ESD9X12ST5G

更新时间： 2024-01-07 14:36:47

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安森美 - ONSEMI		瞬态抑制器二极管光电二极管 PC 局域网
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ESD Protection Diodes In Ultra Small SOD-923 Package

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ESD9X12ST5G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
最小击穿电压：	13.5 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED	最大非重复峰值反向功率耗散：	140 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.15 W
认证状态：	COMMERCIAL	最大重复峰值反向电压：	12 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

ESD9X12ST5G 数据手册

ESD9X3.3ST5G SERIES

TYPICAL CHARACTERISTICS

7.4

7.3

7.2

7.1

7.0

6.9

6.8

6.7

6.6

6.5

6.4

6.3

−55

+25

+150

−55

+25

+150

TEMPERATURE (°C)

Figure 1. Typical Breakdown Voltage

versus Temperature

Figure 2. Typical Leakage Current

versus Temperature

100

PEAK VALUE I

@ 8 ms

RSM

PULSE WIDTH (t ) IS DEFINED

AS THAT POINT WHERE THE

PEAK CURRENT DECAY = 8 ms

HALF VALUE I /2 @ 20 ms

RSM

t, TIME (ms)

Figure 3. 8 X 20 ms Pulse Waveform

Figure 5. Negative 8 kV contact per IEC 61000−4−2

− ESD9X5.0ST5G

Figure 4. Positive 8 kV contact per IEC 6100−4−2

− ESD9X5.0ST5G

http://onsemi.com

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