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ESD6V8WT

更新时间： 2024-01-21 18:42:45

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2页	136K
描述
Rectifier Diode,

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ESD6V8WT 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	Base Number Matches：	1

ESD6V8WT 数据手册

Certificate : TH97/10561QM

Certificate : TW00/17276EM

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

SOD-523

ESD6V8WT

1.25

1.15

FEATURES :

* Bi-direction

* Ultra small mold type.

* High reliability

* Pb / RoHS Free

1.65

1.55

Dimensions in millimeters

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 °C)

Parameter

Value

Symbol

P_PK

Unit

Peak pulse power (tp = 10 x 1000 μs)

Power Dissipation

P_D

150

°C

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_STG

-55 to + 150

°C

Electrical Characteristics (Ta = 25 °C)

Min.

5.5

Max.

8.0

Unit

Parameter

Symbol

Zener Voltage at I_Z= 1mA

V_Z

I_R

Reverse Current at V_R= 3.5 V

0.01

μA

Capacitance between terminals

C_T

at V_R= 0 V, f = 1MHz ,

ESD Voltage Capability (Contact Discharge Mode)

at Discharge Capacitance / Resistance: 150 pF / 330 Ω

ESD Voltage Capability (Air Discharge Mode)

at Discharge Capacitance / Resistance: 150 pF / 330 Ω

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Rev. 00 : May 7, 2007

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