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ESD5Z6V0

更新时间： 2024-02-07 16:05:52

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德欧泰克 - DIOTEC		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	145K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 181W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

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ESD5Z6V0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.76	最小击穿电压：	6.8 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	181 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-50 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.2 W
参考标准：	IEC-61000-4-2	最大重复峰值反向电压：	6 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

ESD5Z6V0 数据手册

ESD5Z3V3 ... ESD5Z12

P_PPM= 158 ... 240 W V_WM= 3.3 ... 12 V

T_jmax= 150°C

V_BR= 5 ... 14.1 V

V_PP1= ± 30 kV

ESD Protection Diodes in SMD

ESD-Schutzdioden in SMD

Version 2016-12-14

Typical Applications

ESD protection

Typische Anwendungen

ESD-Schutz

SOD-523

Data line and I/O port

protection

Schutz von Datenleitungen

und Ein-/Ausgängen

Standardausführung ¹)

1.2

Commercial grade ¹)

Features

Besonderheiten

Niedrige Sperrschicht-Kapazität

Niedriger Sperrstrom

Low junction capacitance

Low leakage current

Miniature case outline

Compliant to RoHS, REACH,

Conflict Minerals ¹)

Miniatur-Gehäusebauform

Konform zu RoHS, REACH,

Konfliktmineralien ¹)

Type

Code

Mechanical Data ¹)

Mechanische Daten ¹)

1.6

Taped and reeled

4000 / 7“

0.01 g

Gegurtet auf Rolle

Weight approx.

Gewicht ca.

Dimensions - Maße [mm]

Case material

UL 94V-0

260°C/10s

MSL = 1

Gehäusematerial

Type Code see next page

Type Code siehe nächste Seite

Solder & assembly conditions

Löt- und Einbaubedingungen

Maximum ratings ²)

Grenzwerte ²)

Peak pulse power dissipation (8/20 µs waveform)

Impuls-Verlustleistung (8/20 µs Impuls)

ESD5Z3V3

ESD5Z5V0

ESD5Z6V0

ESD5Z12

158 W ³)

174 W ³)

P_PPM

181 W ³)

240 W ³)

11.2 A ³)

Peak pulse power current (8/20 µs waveform)

Impuls-Strom (8/20 µs Impuls)

ESD5Z3V3

ESD5Z5V0

ESD5Z6V0

ESD5Z12

9.4 A ³)

I_PPM

8.8 A ³)

9.6 A ³)

Steady state power dissipation

Verlustleistung im Dauerbetrieb

P_tot

V_PP

200 mW ⁴)

ESD immunity (HBM, air discharge)

ESD-Festigkeit (HBM, Luftentladung)

JESD-A114D

± 30 kV

ESD immunity (contact discharge)

ESD-Festigkeit (Kontaktentladung)

IEC 61000-4-2

± 16 kV

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-50...+150°C

Characteristics

Kennwerte

Thermal resistance junction to ambient

Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung

R_thA

< 400 K/W ⁴)

Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

T_A= 25°C unless otherwise specified – T_A= 25°C wenn nicht anders angegeben

Non-repetitive pulse see curve I_PP= f (t) / P_PP= f (t)

Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve I_PP= f (t) / P_PP= f (t)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pads at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

http://www.diotec.com/

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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ESD5Z7.0-Q1	ANBON	获取价格	SOD-523
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