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ESA8UN3242-70JG-S

更新时间： 2024-01-12 00:34:31

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	126K
描述
EDO DRAM Module, 8MX32, 70ns, CMOS, PSMA72

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ESA8UN3242-70JG-S 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIMM
包装说明：	SIMM, SSIM72	针数：	72
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PSMA-N72	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	32
端子数量：	72	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SIMM	封装等效代码：	SSIM72
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	座面最大高度：	25.4 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.016 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.736 mA
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

ESA8UN3242-70JG-S 数据手册

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February 1997

Revision 1.1

ESA8UN324(2/4)-(60/70)(J/T)(G/S)-S

Worldwide Headquarters

Fujitsu Limited

Fujitsu Microelectronics

Asia PTE Limited

No. 51 Bras Basah Road

Plaza by the Park

#06-04/07

Japan

Asia

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