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ESA8UN3242-70JG-S

更新时间: 2024-02-29 09:04:37
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 126K
描述
EDO DRAM Module, 8MX32, 70ns, CMOS, PSMA72

ESA8UN3242-70JG-S 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:SIMM, SSIM72针数:72
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PSMA-N72内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:32
端子数量:72字数:8388608 words
字数代码:8000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8MX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SIMM封装等效代码:SSIM72
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048座面最大高度:25.4 mm
自我刷新:NO最大待机电流:0.016 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.736 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

ESA8UN3242-70JG-S 数据手册

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February 1997  
Revision 1.1  
ESA8UN324(2/4)-(60/70)(J/T)(G/S)-S  
DC CHARACTERISTICS  
(VCC = 5.0V±10%, VSS = 0V, TA = 0 to +70 °C)  
60  
70  
Parameter  
Symbol  
Test Condition  
Refresh  
Unit  
Note  
Min.  
Max.  
856  
Min.  
Max.  
736  
2K  
4K  
-
-
-
-
I
RAS*, CAS* cycling; t = min.  
Operating Current  
mA  
1, 2  
CC1  
RC  
616  
536  
TTL Interface  
RAS*, CAS* = V  
-
-
32  
16  
-
-
32  
16  
mA  
mA  
IH  
D
= High-Z  
out  
I
Standby current  
CC2  
CMOS Interface  
RAS*, CAS* V - 0.2V  
cc  
D
= High-Z  
out  
2K  
4K  
2K  
4K  
2K  
4K  
-
856  
616  
856  
616  
856  
616  
160  
-
720  
536  
736  
536  
736  
536  
160  
CAS* = V ; RAS*, Address  
RAS* -only Refresh  
Current  
IH  
I
mA  
mA  
2
CC3  
cycling @ t = min  
RC  
-
-
-
-
RAS*, CAS* cycling @  
CAS*-before-RAS*  
Refresh Current  
I
CC4  
t
= min.  
RC  
-
-
-
-
-
-
RAS* = V ; CAS*, Address  
Fast Page Mode  
Current  
IL  
I
mA  
µA  
µA  
1, 3  
CC5  
cycling @ t = min  
PC  
I
0V Vin V +0.5V  
Input Leakage Current  
Output Leakage Current  
-160  
-160  
LI  
CC  
0V Vout V  
CC  
I
-20  
20  
-20  
20  
LO  
D
= Disable  
out  
V
High I = -5 mA  
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
2.4  
-
-
2.4  
-
-
V
V
OH  
out  
V
Low I = 4.5 mA  
0.4  
0.4  
OL  
out  
Notes:  
1. Values depend on load condition when the device is selected. Maximum Values are specified at the output open condition.  
2. Address can be changed once or less while RAS* = V .  
IL  
3. Address can be changed once or less while CAS* = V  
.
IH  
CAPACITANCE  
(TA =+25°C, VCC = 5.0V±10%=10V)  
Parameter  
Input Capacitance (Address)  
Symbol  
Max.  
85  
Unit  
pF  
Note  
C
1
1
I1  
C
Input Capacitance (RAS0*~RAS3*)  
Input Capacitance (CAS0*~CAS3*)  
Input Capacitance (WE*)  
25  
pF  
I2  
C
25  
pF  
1
I3  
C
85  
pF  
1
I4  
C
Input/Output Capacitance (DQ0~DQ31)  
12  
pF  
1, 2  
I/O  
Notes:  
1. Capacitance is measured with Boonton Meter or effective capacitance method.  
2. CAS* = V to disable D  
.
out  
IH  
Fujitsu Microelectronics, Inc.  
4

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
ESA8UN3242-70TG-S FUJITSU EDO DRAM Module, 8MX32, 70ns, CMOS, PSMA72

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ESA8UN3242-70TS-S FUJITSU EDO DRAM Module, 8MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72

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