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ESA1N4151-1

更新时间： 2024-12-01 20:41:59

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
1页	26K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35

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技术参数
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ESA1N4151-1 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.61	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

ESA1N4151-1 数据手册

1N4151-1

ESA QUALIFIED

Switching Diode

FEATURES

· Qualified to ESA/SCC 5101/025

1.53/ 2.28

· Metallurgical Bond

· DO-35 Package

12.7min

· Hermetically Sealed Glass Package

MAXIMUM RATINGS

Operating Temperature:

Storage Temperature:

Thermal Impedance:

Thermal Resistance:

Total Power Dissipation:

DC Reverse Voltage:

Breakdown Voltage:

-55^oC to +200^oC

3.05 min

5.08 max

-65^oC to +200^oC

25^oC/W max. (See Note 3)

250^oC/W max.

500mW

50V

75V nom.

0.458 min

0.558 max

Dimensions in Millimetres

ELECTRICAL CHARACTERISTICS at 25oC unless otherwise specified.

I_R

V_BR

V_F

I_R

@ 50V dc

@ 5uA

@ 50mA

@ 50V dc,

T_A= 150^oC

min

max

min

max

min

max

1.0

min

max

Capacitance

(Note 2)

t_RR

(Note 1)

nsec

min

max

2.0

min

max

NOTE 1:

NOTE 2:

NOTE 3:

I_F= - I_RM=10 - 200mA, i_RR= 1/10 I_F, R_L= 100W

V_R= 0V, f = 1MHz.

Thermal Impedance Conditions as follows:

I_H= 300mA, I_M= 1mA, t_H= 10mS, t_MD= 70uS

MECHANICAL

CHARACTERISTICS

CASE: Hermetically Sealed

Glass Package.

LEAD MATERIAL: Cu clad steel

LEAD FINISH: L4 (solder dipped)

MARKING: Alpha numeric.

POLARITY: Cathode Band.

Datasheet: MSC0314A

Industrial Estate, Gort Road, Ennis, Co. Clare, Ireland.

· Tel : 353 - 65 - 40044

· Fax : 353 - 65 - 22298

· Email sales@msc-ireland.ie

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