ES3F

更新时间： 2024-01-19 12:42:22

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威世 - VISHAY		整流二极管光电二极管 IOT 超快速恢复二极管
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描述
SURFACE MOUNT ULTRAFAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER

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ES3F 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	应用：	EFFICIENCY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.7 V
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：	100 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压：	1000 V	最大反向电流：	10 µA
最大反向恢复时间：	0.035 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

ES3F 数据手册

NEW PRODUCT

ES3F AND ES3G

SURFACE MOUNT ULTRAFAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER

Reverse Voltage - 300 to 400 Volts

Forward Current - 3.0 Amperes

DO-214AB

FEATURES

♦ Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

♦ For surface mount applications

♦ Low profile package

0.126 (3.20)

0.114 (2.90)

0.245 (6.22)

0.220 (5.59)

♦ Built-in strain relief

♦ Ideal for automated placement

♦ Easy pick and place

♦ Superfast recovery time for high efficiency

♦ Glass passivated chip junction

♦ High temperature soldering:

250°C/10 seconds at terminals

0.280 (7.11)

0.260 (6.60)

0.012 (0.305)

0.006 (0.152)

0.103 (2.62)

0.079 (2.06)

MECHANICAL DATA

Case: JEDEC DO-214AB molded plastic body over

passivated chip

Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

0.060 (1.52)

0.030 (0.76)

0.008 (0.203)

MAX.

0.320 (8.13)

0.305 (7.75)

Polarity: Color band denotes cathode end

Weight: 0.007 ounces, 0.21 gram

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

SYMBOLS

ES3F

ES3G

UNITS

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Working peak reverse voltage

V_RRM

V_RWM

V_RMS

V_DC

300

225

210

300

400

300

280

400

Volts

Amps

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current at T_L=100°C

I_(AV)

3.0

100

1.10

Peak forward surge current

8.3ms single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method) at T_L=100°C

I_FSM

Amps

Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A

V_F

I_R

Volts

Maximum DC reverse current

at working peak reverse voltage

T_A=25°C

T_A=100°C

10.0

350

µA

Maximum reverse recovery time _{(NOTE 1)}

Maximum reverse recovery time _{(NOTE 2)}

t_rr

3.0

Maximum reverse recovery current _{(NOTE 2)}

Maximum stored charge _{(NOTE 2)}

I_RM

Q_rr

C_J

Amps

Typical junction capacitance _{(NOTE 3)}

Typical thermal resistance _{(NOTE 4)}

R_ΘJA

R_ΘJL

°C/W

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

-55 to +150

NOTES:

(1) Reverse recovery test conditions: I_F=0.5A, I_R=1.0A, I_rr=0.25A

(2) Measured at I_F=1.0A, di/dt=100A/µs, V_R=30V, I_rr=0.1I_RM

(3) Measured at 1.0 MH_Zand applied reverse voltage of 4.0 Volts

(4) Units mounted on P.C.B. with 0.31 x 0.31” (8.0 x 8.0mm) copper pad areas

NOTICE: Advanced product information is subject to change without notice

4/98

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