Datasheet > ES3G

ES3G

更新时间： 2024-02-07 05:06:34

品牌	Logo	应用领域
鲁光 - LGE		超快速恢复二极管 IOT 光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	1231K
描述
暂无描述

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ES3G 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	PLASTIC, SMC, 2 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5
Is Samacsys：	N	应用：	EFFICIENCY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.3 V
JEDEC-95代码：	DO-214AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：	100 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压：	400 V	最大反向电流：	10 µA
最大反向恢复时间：	35 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

ES3G 数据手册

ES3A-ES3J

3.0AMPS Surface Mount Super Fast Rectifiers

Features

ꢀ

Glass passivated junction chip

For surface mounted applications

Low profile package

Built-in strain relief

Ideal for automated placement

Easy pick and place

Super fast recovery time for high efficiency

Glass passivated chip junction

High temperature soldering:

260^oC/10 seconds at terminals

Plastic material used carries Underwriters

Laboratory Classification 94V-0

SMC/DO-214AB

ꢀ

Mechanical Data

ꢀ

Cases: Molded plastic

Terminals: Pure tin plated, lead free.

Polarity: Indicated by cathode band

Weight: 0.21 gram

Marking Information

Dimensions in inches and (millimeters)

LGE：Lu Guang Electronic

XXXX：marking code (ES3A-ES3J)

XXXX

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

Symbol

Type Number

Units

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

50 100 150 200 300 400 500 600

35 70 105 140 210 280 350 420

V_RRM

V_RMS

V_DC

Maximum DC Blocking Voltage

50 100 150 200 300 400 500 600

Maximum Average Forward Rectified Current

See Fig. 1

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single

Half Sine-wave Superimposed on Rated

Load (JEDEC method ) @T_L= 100 ^oC

3.0

I_(AV)

100

I_FSM

Maximum Instantaneous Forward Voltage

@ 3.0A

0.95

1.3

1.7

V_F

I_R

Maximum DC Reverse Current @ T_A=25 ^oC

at Rated DC Blocking Voltage @ T_A=100 ^oC

500

Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1 )

Typical Junction Capacitance ( Note 2 )

Typical Thermal Resistance (Note 3)

Trr

θJA

^oC /W

θJL

^oC

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

T_J

-55 to +150

T^STG

1. Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A

2. Measured at 1 MHz and Applied VR=4.0 Volts

Notes:

3. Units Mounted on P.C.B. with 0.6” x 0.6”(16mm x 16mm) Copper Pad Areas

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

中文翻译

下载PDF

与ES3G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ES3G(LS)	DIODES	获取价格	3.0A SURFACE MOUNT SUPER-FAST RECTIFIER
ES3G/57T	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB, PLASTIC, SMC, 2 P
ES3G/59T	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB, PLASTIC, SMC, 2 P
ES3G/9AT	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB, PLASTIC, SMC, 2 P
ES3G/9BT	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB, PLASTIC, SMC, 2 P
ES3G/9CT	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB, PLASTIC, SMC, 2 P
ES3G/9T	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB, PLASTIC, SMC, 2 P
ES3GA	SUNMATE	获取价格	3.0A patch fast recovery diode 400V SMA series
ES3GB	SUNMATE	获取价格	3.0A patch fast recovery diode 400V SMB series
ES3GB	LGE	获取价格	Surface Mount Rectifiers

与ES3G相关文章

解读BAV99LT1数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
2024-06-18

1
资料解析：P82B96TD引脚图说明、电气参数
2024-06-18

1
ATA6621N数据手册解读：产品特性、引脚图信息、电气参数
2024-06-18

4
一文AO3400引脚图、参数、产品特性
2024-06-18

2

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ES3G

ES3G 技术参数

ES3G 数据手册

与ES3G相关器件

与ES3G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ES3G

ES3G 技术参数

ES3G 数据手册

与ES3G相关器件

与ES3G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？