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ES3G PDF预览

ES3G

更新时间： 2024-01-19 01:53:45
品牌 Logo 应用领域
DAESAN 二极管光电二极管IOT超快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 336K
描述
CURRENT 3.0 Amperes VOLTAGE 50 to 400 Volts

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ES3G 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.57
Is Samacsys：N应用：EFFICIENCY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.7 V
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向电流：10 µA
最大反向恢复时间：0.035 µs表面贴装：YES
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

ES3G 数据手册

 浏览型号ES3G的Datasheet PDF文件第2页 
CURRENT 3.0 Amperes  
VOLTAGE 50 to 400 Volts  
ES3A THRU ES3J  
Features  
· For surface applications in order optimize board space  
· Low profile package  
· Built-in strain relief, ideal for automated placement  
· Super fast recovery time  
DO-214AB (SMC)  
· Plastic package has Unerwrites Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
· Ideally suited for use in very high frequency switching  
power supplies, inverters and as free wheeling diodes  
· Glass passivated chip junction  
· High temperature soldering guaranteed: 250℃/10  
seconds, at terminals  
0.124(3.15)  
0.108(2.75)  
0.245(6.22)  
0.220(5.59)  
0.280(7.11)  
0.260(6.60)  
0.012(0.31)  
0.006(0.15)  
0.103(2.62)  
0.079(2.00)  
Mechanical Data  
0.008(0.203)  
MAX.  
· Case : JEDEC SMC(DO-214AB) molded plastic body  
· Terminals : Plated axial lead solderable per  
MIL-STD-750, method 2026  
· Polarity : Color band denotes cathode end  
· Mounting Position : Any  
· Weight : 0.007 ounce, 0.25 gram  
0.050(1.27)  
0.030(0.76)  
0.320(8.13)  
0.305(7.75)  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Maximum Ratings And Electrical Characteristics  
(Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified, Single phase, half wave 60Hz, resistive or inductive  
load. For capacitive load, derate by 20%)  
Symbols  
ES3A  
ES3B  
ES3C  
ES3D  
ES3G  
ES3J  
Units  
Maximum recurrent peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
V
RRM  
RMS  
50  
35  
50  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
Volts  
Volts  
Volts  
V
Maximum DC blocking voltage  
V
DC  
100  
Maximum average forward rectified current  
at TL=100℃  
I(AV)  
3.0  
Amps  
Peak forward surge current 8.3ms single  
half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC method) at TL=100℃  
I
FSM  
100.0  
Amps  
Volts  
μA  
Maximum instantaneous forward voltage  
at 3.0A  
V
F
0.95  
500  
1.25  
350  
T
T
A
=25℃  
10.0  
35  
Maximum reverse  
current at rated voltage  
IR  
A=100℃  
Trr  
Maximum reverse recovery time (Note 1)  
Typical thermal resistance (Note 3)  
Typical junction capacitance (Note 2)  
ns  
RθJL  
RθJA  
12.0  
47.0  
℃/W  
CJ  
45.0  
30.0  
pF  
T
J
Operating junction and storage  
temperature range  
℃
-55 to +150  
TSTG  
Notes:  
(1) Test conditions: I  
(2) Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts.  
(3) Units mounted on P.C.B 0.31×0.31"(0.8×0.8mm) copper pad areas  
F=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A.  
12

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与ES3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ES3G(LS) DIODES

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 		3.0A SURFACE MOUNT SUPER-FAST RECTIFIER
ES3G/57T VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB, PLASTIC, SMC, 2 P
ES3G/59T VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB, PLASTIC, SMC, 2 P
ES3G/9AT VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB, PLASTIC, SMC, 2 P
ES3G/9BT VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB, PLASTIC, SMC, 2 P
ES3G/9CT VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB, PLASTIC, SMC, 2 P
ES3G/9T VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB, PLASTIC, SMC, 2 P
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 		Surface Mount Rectifiers

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