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ER800F-LF PDF预览

ER800F-LF

更新时间： 2024-02-08 11:18:20
品牌 Logo 应用领域
WTE 超快速恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 52K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 50V V(RRM), Silicon, TO-220AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220A, 2 PIN

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ER800F-LF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AA包装说明：R-PSFM-T2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.65其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
应用：SUPER FAST RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AA
JESD-30 代码：R-PSFM-T2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：2最大非重复峰值正向电流：125 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：50 V最大反向恢复时间：0.035 µs
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

ER800F-LF 数据手册

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WTE  
POWER SEMICONDUCTORS  
ER800F – ER806F  
8.0A GLASS PASSIVATED SUPERFAST RECTIFIER  
Features  
ꢀ
Glass Passivated Die Construction  
B
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Super-Fast Switching  
ITO-220A  
Low Forward Voltage Drop  
Low Reverse Leakage Current  
High Surge Current Capability  
Plastic Material has UL Flammability  
Classification 94V-O  
C
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
14.60  
9.70  
2.55  
3.56  
13.00  
0.30  
3.00 Ø  
6.30  
4.20  
2.50  
0.36  
2.90  
4.83  
Max  
15.40  
10.30  
2.85  
G
A
E
PIN1  
3
4.16  
D
13.80  
0.90  
F
G
H
I
3.50 Ø  
6.90  
Mechanical Data  
ꢀ
F
Case: ITO-220A, Full Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: See Diagram  
Weight: 2.24 grams (approx.)  
4.80  
ꢀ
P
J
2.90  
K
L
0.80  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
I
3.30  
P
5.33  
Mounting Position: Any  
H
L
J
All Dimensions in mm  
Mounting Torque: 11.5 cm-kg (10 in-lbs) Max.  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
PIN 1 +  
PIN 3 -  
K
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
ER  
800F  
ER  
801F  
ER  
801AF  
ER  
802F  
ER  
803F  
ER  
804F  
ER  
806F  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
50  
35  
100  
70  
150  
105  
200  
300  
210  
400  
280  
600  
420  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
140  
8.0  
V
A
Average Rectified Output Current  
@TC = 105°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
Single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
125  
A
Forward Voltage  
@IF = 8.0A  
VFM  
IRM  
0.95  
1.3  
1.7  
V
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 25°C  
@TA = 125°C  
10  
400  
µA  
Reverse Recovery Time (Note 1)  
trr  
Cj  
35  
70  
50  
50  
nS  
pF  
°C  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Note: 1. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
ER800F – ER806F  
1 of 4  
© 2006 Won-Top Electronics  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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