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ER3DB

更新时间： 2024-01-12 02:48:43
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森美特 - SUNMATE /
页数 文件大小 规格书
2页 866K
描述
3.0A patch fast recovery diode 200V SMB series

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ER3DB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-C2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.05应用：EFFICIENCY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.7 V
JEDEC-95代码：DO-214ABJESD-30 代码：R-PDSO-C2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向电流：5 µA
最大反向恢复时间：0.075 µs表面贴装：YES
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

ER3DB 数据手册

 浏览型号ER3DB的Datasheet PDF文件第2页 
ER3AB - ER3JB  
SURFACE MOUNT SUPER FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES  
VOLTAGE RANGE: 50 - 600V  
CURRENT: 3.0 A  
Features  
Low cost  
Low leakage  
Low forward voltage drop  
High current capability  
!
!
!
!
Easilycleaned with alcohol,Isopropanol  
and similar solvents  
The plastic material carries U/L recognition 94V-0  
!
!
!
SMB(DO-214AA)  
B
Dim  
Min  
3.30  
4.06  
1.91  
0.15  
5.00  
0.10  
0.76  
2.00  
Max  
A
B
C
D
E
G
H
J
3.94  
4.70  
2.21  
0.31  
5.59  
0.20  
1.52  
2.62  
Mechanical Data  
A
J
C
!
!
Case: SMB/DO-214AA, Molded Plastic  
Terminals: Solder Plated, Solderable  
per MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch  
Marking: Type Number  
D
!
!
!
Weight: 0.093 grams (approx.)  
G
H
All Dimensions in mm  
E
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
TA = 25ꢀC unless otherwise specified  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
ER3AB ER3BB ER3CB ER3DB ER3EB ER3GB ER3JB  
Maximumrecurrent peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
50  
35  
50  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
V
V
V
VRRM  
VRMS  
VDC  
MaximumDC blocking voltage  
Maximumaverage forw ard rectified current  
@TA=75  
100  
3.0  
A
IF(AV)  
Peak forw ard surge current  
8.3ms single half-sine-w ave  
superimposed on rated load @TJ=125  
IFSM  
100  
A
V
Maximuminstantaneous forw ard voltage  
0.95  
1.25  
VF  
IR  
1.7  
@ 3.0A  
Maximum reverse current  
@TA=25  
5.0  
300  
35  
A
at rated DC blocking voltage @TA=125  
Maximumreverse recovery time (Note 1)  
ns  
trr  
CJ  
RθJA  
TJ  
Typical junction capacitance  
Typical thermal resistance  
(Note 2)  
(Note 3)  
95  
pF  
40  
/W  
Operating junction temperature range  
- 55 ----- + 150  
- 55 ----- + 150  
Storage temperature range  
NOTE: 1. Measured with IF=0.5A, IR=1A, Irr=0.25A.  
TSTG  
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.  
3.Thermal resistance junction to ambient.  
1 of 2  
www.sunmate.tw  
12

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