是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | PLASTIC, SOIC-8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.1.B.1 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 4.42 |
最大时钟频率 (fCLK): | 20 MHz | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 4.9 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | CONFIGURATION MEMORY | 内存宽度: | 1 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX1 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 235 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.75 mm | 最大待机电流: | 0.00005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.015 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 3.9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EPCS1SI8N | INTEL |
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Configuration Memory, 1MX1, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, PLASTIC, SOIC-8 | |
EPCS1SI8N | ALTERA |
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Serial Configuration Devices | |
EPC-S201 | ADVANTECH |
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Intel Atom N3350 DC Barebone Embedded SBC Fanless Slim System | |
EPC-S201M00-S1A1E | ADVANTECH |
获取价格 |
Intel Atom N3350 DC Barebone Embedded SBC Fanless Slim System | |
EPCS4 | ALTERA |
获取价格 |
Serial Configuration Devices | |
EPCS4SI8 | INTEL |
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Configuration Memory, 4MX1, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOIC-8 | |
EPCS4SI8 | ALTERA |
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Serial Configuration Devices | |
EPCS4SI8N | ALTERA |
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Serial Configuration Devices | |
EPCS4SI8N | INTEL |
获取价格 |
Configuration Memory, 4MX1, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, PLASTIC, SOIC-8 | |
EPCS64 | ALTERA |
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Serial Configuration Devices |