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EMZT6.8ET2R

更新时间： 2024-11-25 12:29:19

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罗姆 - ROHM		二极管
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3页	328K
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ESD Protection Diode

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EMZT6.8ET2R 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-F5
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	1.74	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	COMMON ANODE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F5
元件数量：	4	端子数量：	5
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.15 W	标称参考电压：	6.8 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	4.92%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

EMZT6.8ET2R 数据手册

Data Sheet

ESD Protection Diode

EMZT6.8E

Applications

ESD Protection

(Common anode)

Dimensions (Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

0.4

1.6±0.1

0.22±0.05

0.13±0.05

0.25 0.15 0.15 0.25

0.3

Features

(5)

(4)

1)Ultra small mold type. (EMD5)

2)Low Capacitance

3)High reliability

0～0.1

0.5

EMD5

(1)

(2)

(3)

Construction

Structure

0.5

1.0±0.1

0.5±0.05

Silicon epitaxial

ROHM : EMD5

JEITA : SC-75A Size

dot (year week factory)

Taping dimensions (Unit : mm)

+0.1

−0

4.0 0.1

2.0 0.05

0.3 0.1

1.5

1PIN

0.8 0.1

+0.08

−0

0.65 0.1

1.65

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Power dissipation (*1)

Junction temperature

Storage temperature

Limits

150

Symbol

Unit

C

150

55 to 150

C

Tstg

(*1) Total of 4 elements

Electrical characteristics (Ta=25C)

Parameter

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

I_Z=5mA

V_Z

I_R

Zener voltage

6.47

7.14

0.50

V_R=3.5V

Reverse current

μA

V^R=0Vꢀf＝1MHz

Junction capacitance

7.0

※Zener voltage(VZ) shall be measured at 40ms after loading current.

www.rohm.com

2011.06 - Rev.A

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