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ELM32434LA-S

更新时间： 2024-02-25 10:35:24

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描述
Single N-channel MOSFET

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ELM32434LA-S 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.76	雪崩能效等级（Eas）：	29 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	4.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	7 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ELM32434LA-S 数据手册

Single N-channel MOSFET

ELM32434LA-S

■General description

■Features

ELM32434LA-S uses advanced trench technology to

provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate

resistance.

• Vds=600V

• Id=2A

• Rds(on) < 4.4Ω (Vgs=10V)

■Maximum absolute ratings

Parameter

Symbol

Limit

600

Unit

Note

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Vds

Vgs

Ta=25°C

2.0

Continuous drain current

Ta=100°C

1.1

Pulsed drain current

Avalanche current

Avalanche energy

Idm

Ias

2.4

3, 4

L=10mH

Ta=25°C

Ta=100°C

Eas

Power dissipation

Junction and storage temperature range

Tj, Tstg

-55 to 150

°C

■Thermal characteristics

Parameter

Maximum junction-to-case

Maximum junction-to-ambient

Symbol

Typ.

Max.

Unit

Note

Rθjc

Rθja

2.5

°C/W

62.5

■Pin configuration

■Circuit

TO-252-3(TOP VIEW)

TAB

Pin No.

Pin name

GATE

DRAIN

SOURCE

6 - 1

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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ELM325P	ELM	获取价格	J1708 Interpreter
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ELM327	ELM	获取价格	OBD to RS232 Interpreter
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