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EGP50AHE3/54

更新时间： 2024-09-24 14:25:39

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		功效二极管
页数	文件大小	规格书
4页	70K
描述
DIODE 5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GP20, 2 PIN, Rectifier Diode

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EGP50AHE3/54 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.95 V	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	50 V
最大反向恢复时间：	0.05 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	Base Number Matches：	1

EGP50AHE3/54 数据手册

EGP50A thru EGP50G

Vishay General Semiconductor

Glass Passivated Ultrafast Rectifier

FEATURES

• Cavity-free glass-passivated junction

• Ultrafast reverse recovery time

• Low forward voltage drop

• Low leakage current

• Low switching losses, high efficiency

• High forward surge capability

• Solder dip 260 °C, 40 s

*Glass Encapsulation

technique is covered by

Patent No. 3,996,602,

brazed-lead assembly to

Patent No. 3,930,306

GP20

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency rectification and

freewheeling application in switching mode converters

and inverters for consumer, computer and

telecommunication.

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

5.0 A

V_RRM

I_FSM

t_rr

50 V to 400 V

150 A

MECHANICAL DATA

Case: GP20, molded epoxy over glass body

Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating

50 ns

V_F

0.95 V, 1.25 V

150 °C

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

T_Jmax.

E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class

1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade

(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2

whisker test

Polarity: Color band denotes cathode end

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL EGP50A EGP50B EGP50C EGP50D EGP50F EGP50G

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

100

150

105

150

200

140

200

300

210

300

400

280

400

Maximum DC blocking voltage

100

Maximum average forward rectified current

0.375" (9.5 mm) lead length at T_L= 55 °C

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half

sine-wave superimposed on rated load

I_FSM

150

Operating and storage temperature range

T_J, T_STG

- 65 to + 150

°C

Document Number: 88585

Revision: 20-Aug-07

For technical questions within your region, please contact one of the following:

PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

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与EGP50AHE3/54相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
EGP50A-HE3/54	VISHAY	获取价格	DIODE 5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GP20, 2 PIN, Rectifier
EGP50A-HE3/73	VISHAY	获取价格	DIODE 5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GP20, 2 PIN, Rectifier
EGP50B	SUNMATE	获取价格	5A plug-in fast recovery diode 100V DO-201 series
EGP50B	LGE	获取价格	High Efficiency Rectifiers
EGP50B	VISHAY	获取价格	GLASS PASSIVATED FAST EFFICIENT RECTIFIER
EGP50B	BL Galaxy Electrical	获取价格	5A,100V,50ns,Ultra Fast Rectifiers
EGP50B/100	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GP20, 2 PIN
EGP50B/4E	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GP20, 2 PIN
EGP50B/4F	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GP20, 2 PIN
EGP50B/4G	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GP20, 2 PIN

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