EGP50C

更新时间： 2024-01-05 13:12:42

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鲁光 - LGE		整流二极管高效整流二极管功效
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描述
High Efficiency Rectifiers

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EGP50C 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DO-27, 2 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.32
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.7 V	JEDEC-95代码：	DO-201AD
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	1000 V	最大反向电流：	5 µA
最大反向恢复时间：	0.075 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

EGP50C 数据手册

EGP50A-EGP50G

High Efficiency Rectifiers

VOLTAGE RANGE: 50 --- 400 V

CURRENT: 5.0 A

DO - 27

Features

Low cost

Diffused junction

Low leakage

Low forward voltage

High current capability

Easilycleaned with alcohol,Isopropanol

and similar solvents

The plastic material carries U/L recognition 94V-0

Mechanical Data

Dimensions in millimeters

Case:JEDEC DO--27,molded plastic

Polarity: Color band denotes cathode

Weight: 0.041 ounces,1.15 grams

Mounting position: Any

MAXIMUM RAT INGS AND ELECT RICAL CHARACT ERIST ICS

Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by20%.

EGP

50A

EGP

50B

EGP

50F

EGP

50G

EGP

50C

EGP

50D

UNITS

Maximumrecurrent peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

100

300

210

300

400

280

400

150

105

150

200

140

200

V_RRM

V_RMS

V_DC

MaximumDC blocking voltage

100

Maximumaverage forw ard rectified current

5.0

I_F(AV)

9.5mmlead length

@T_L=55

Peak forw ard surge current

8.3ms single half-sine-w ave

superimposed on rated load

150

I_FSM

@T_J=125

Maximum instantaneous forw ard voltage

0.95

1.25

V_F

I_R

@ 5.0 A

Maximumreverse current

@T_A=25

5.0

at rated DC blocking voltage @T_A=125

Maximumreverse recovery time (Note1)

t_rr

C_J

Typical junction capacitance

Typical thermal resistance

(Note2)

(Note3)

5.0

R_θ_JL

T_J

/ W

Operating junction temperature range

- 55 ---- + 150

Storage temperature range

T_STG

NOTE: 1. Measured with I_F=0.5A, I_R=1A, I_rr=0.25A.

2. Measured at 1.0MHz and applied reverse uoltage of 4.0V DC.

3.Thermal resistance from junction to ambient.

http://www.luguang.cn

mail:lge@luguang.cn

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与EGP50C相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
EGP50C/100	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 150V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GP20, 2 PIN	获取价格
EGP50C/4F	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 150V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GP20, 2 PIN	获取价格
EGP50C/4G	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 150V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GP20, 2 PIN	获取价格
EGP50C/4H	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 150V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GP20, 2 PIN	获取价格
EGP50C/54	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 150V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GP20, 2 PIN	获取价格
EGP50C/60	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 150V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GP20, 2 PIN	获取价格