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Datasheet > 暂无类别数据> EGP30A-
EGP30A- PDF预览

EGP30A-

更新时间： 2024-02-02 01:30:50
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 整流二极管高效整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 42K
描述
3.0 Ampere Glass Passivated High Efficiency Rectifiers

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EGP30A- 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-201AE
包装说明：PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.61
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-201AEJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：125 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
最大反向恢复时间：0.075 µs表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

EGP30A- 数据手册

 浏览型号EGP30A-的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EGP30A-的Datasheet PDF文件第3页 
Discr ete P OWER & Sign a l  
Tech n ologies  
EGP30A - EGP30K  
Features  
1.0 min (25.4)  
• Glass passivated cavity-free junction.  
• High surge current capability.  
• Low leakage current.  
0.375 (9.53)  
0.285 (7.24)  
• Superfast recovery time for high  
efficiency.  
0.210 (5.33)  
0.190 (4.83)  
DO-201AD  
• Low forward voltage, high current  
capability.  
COLOR BAND DENOTES CATHODE  
0.052 (1.32)  
0.048 (1.22)  
Dimensions in inches (mm)  
3.0 Ampere Glass Passivated High Efficiency Rectifiers  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
IO  
Average Rectified Current  
3.0  
A
.375 " lead length @ T = 55 C  
°
A
Peak Forward Surge Current  
125  
if(surge)  
8.3 ms single half-sine-wave  
Superimposed on rated load (JEDEC method)  
Total Device Dissipation  
A
PD  
6.25  
50  
W
mW/ C  
°
Derate above 25 C  
°
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Lead  
Storage Temperature Range  
20  
Rθ  
C/W  
°
JA  
8.5  
Rθ  
C/W  
°
JL  
-65 to +150  
-65 to +150  
C
C
°
Tstg  
TJ  
Operating Junction Temperature  
°
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Device  
Units  
30A  
30B  
100  
70  
30C  
150  
105  
150  
30D  
30F  
300  
210  
300  
30G  
400  
280  
400  
30J  
600  
420  
600  
30K  
800  
560  
800  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
50  
35  
50  
200  
140  
200  
V
V
V
100  
DC Reverse Voltage (Rated VR)  
Maximum Reverse Current  
5.0  
100  
@ rated VR  
TA = 25°C  
TA = 125°C  
µA  
µA  
nS  
Maximum Reverse Recovery Time  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A  
Maximum Forward Voltage @ 3.0 A  
50  
75  
0.95  
95  
1.25  
1.7  
V
Typical Junction Capacitance  
VR = 4.0 V, f = 1.0 MHz  
75  
pF  
EGP30A - EGP30K, Rev. A  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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