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EGP20KTA

更新时间： 2024-01-18 21:13:17

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		功效二极管
页数	文件大小	规格书
6页	269K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AC, DO-15, 2 PIN

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技术参数
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EGP20KTA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DO-15
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.73
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.7 V	JEDEC-95代码：	DO-204AC
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	75 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	2 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	3.13 W
最大重复峰值反向电压：	800 V	最大反向电流：	5 µA
最大反向恢复时间：	0.075 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

EGP20KTA 数据手册

June 2013

EGP20A - EGP20K

2.0 A Glass-Passivated High-Efficiency Rectifiers

Features

• Glass-Passivated Cavity-Free Junction

• High Surge Current Capability

• Low Leakage Current

• Super-Fast Recovery Time for High Efficiency

• Low Forward Voltage, High Current Capability

DO-15 Glass case

COLOR BAND DENOTES CATHODE

Absolute Maximum Ratings⁽¹⁾

Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be opera-

ble above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addi-

tion, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The

absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at T_A= 25°C unless otherwise noted.

Symbol

Parameter

Value

Units

Average Rectified Current

.375 inch lead length at T_A= 55°C

I_F(AV)

2.0

Peak Forward Surge Current

I_FSM

8.3 ms single half-sine-wave

Superimposed on rated load (JEDEC method)

T_J, T_STGJunction and Storage Temperature Range

-65 to 150

°C

Note:

1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

Thermal Characteristics

Total Device Dissipation

3.13

P_D

Derate above 25°C

mW°C

°C/W

R_θJA

R_θJL

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Lead

EGP20A - EGP20K Rev. 1.1.0

www.fairchildsemi.com

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与EGP20KTA相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
EGP20KTA_NL	FAIRCHILD	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon, DO-15, LEAD FREE, GLASS PAC	获取价格
EGP20K-TP	MCC	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon, DO-15, PLASTIC PACKAGE-2	获取价格
EGP20M	ZOWIE	SINTERED GLASS PASSIVATED JUNCTION HIGH EFFICIENT RECTIFIER	获取价格
EGP20M	SUNMATE	2A plug-in fast recovery diode 1000V DO-15 series	获取价格
EGP20M-BP	MCC	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-15, DO-15, 2 PIN	获取价格
EGP20MH	ZOWIE	SINTERED GLASS PASSIVATED JUNCTION HIGH EFFICIENT RECTIFIER	获取价格