Datasheet > 存储 > DRAM> EBJ21UE8BDS1-AE-F

EBJ21UE8BDS1-AE-F

更新时间： 2024-11-21 12:20:55

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
页数	文件大小	规格书
18页	196K
描述
2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

EBJ21UE8BDS1-AE-F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DMA	包装说明：	DIMM, DIMM204,24
针数：	204	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.84	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.3 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	533 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N204	JESD-609代码：	e4
长度：	67.6 mm	内存密度：	34359738368 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	204	字数：	536870912 words
字数代码：	512000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	512MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM204,24	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	3.8 mm
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.208 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	2.64 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.6 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	30 mm	Base Number Matches：	1

EBJ21UE8BDS1-AE-F 数据手册

浏览型号EBJ21UE8BDS1-AE-F的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号EBJ21UE8BDS1-AE-F的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号EBJ21UE8BDS1-AE-F的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号EBJ21UE8BDS1-AE-F的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号EBJ21UE8BDS1-AE-F的Datasheet PDF文件第6页

DATA SHEET

2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM

EBJ21UE8BDS1 (256M words × 64 bits, 2 Ranks)

Specifications

Features

• Density: 2GB

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• Organization

• The high-speed data transfer is realized by the 8 bits

prefetch pipelined architecture

256M words × 64 bits, 2 ranks

• Mounting 16 pieces of 1G bits DDR3 SDRAM sealed

in FBGA

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

• Package: 204-pin socket type small outline dual in

line memory module (SO-DIMM)

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

PCB height: 30.0mm

Lead pitch: 0.6mm

• Differential clock inputs (CK and /CK)

Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free

• Power supply: VDD = 1.5V ± 0.075V

• Data rate: 1333Mbps/1066Mbps (max.)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Eight internal banks for concurrent operation

(components)

• Data mask (DM) for write data

• Interface: SSTL_15

• Posted /CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• Burst lengths (BL): 8 and 4 with Burst Chop (BC)

• /CAS Latency (CL): 5, 6, 7, 8, 9

• /CAS write latency (CWL): 5, 6, 7

• On-Die-Termination (ODT) for better signal quality

Synchronous ODT

Dynamic ODT

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

Asynchronous ODT

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles

• Multi Purpose Register (MPR) for temperature read

out

• ZQ calibration for DQ drive and ODT

Average refresh period

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C

• Programmable Partial Array Self-Refresh (PASR)

• /RESET pin for Power-up sequence and reset

• Operating case temperature range

TC = 0°C to +95°C

function

• SRT range:

Normal/extended

• Programmable Output driver impedance control

Document No. E1623E20 (Ver. 2.0)

Date Published April 2010 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2010

12 3 4 5 6 7...18

中文翻译

下载PDF

与EBJ21UE8BDS1-AE-F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
EBJ21UE8BDS1-DJ-F	ELPIDA	获取价格	2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM
EBJ21UE8BFU0	ELPIDA	获取价格	2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM
EBJ21UE8BFU0-DJ-F	ELPIDA	获取价格	2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM
EBJ21UE8BFU0-GL-F	ELPIDA	获取价格	2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM
EBJ21UE8BFU0-GN-F	ELPIDA	获取价格	2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM
EBJ21UE8BFU1	ELPIDA	获取价格	2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM
EBJ21UE8BFU1-DJ-F	ELPIDA	获取价格	2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM
EBJ24A	ADAM-TECH	获取价格	EURO BLOCKS TS & EB SERIES
EBJ24B	ADAM-TECH	获取价格	EURO BLOCKS TS & EB SERIES
EBJ24H	ADAM-TECH	获取价格	EURO BLOCKS TS & EB SERIES

与EBJ21UE8BDS1-AE-F相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

EBJ21UE8BDS1-AE-F

EBJ21UE8BDS1-AE-F 技术参数

EBJ21UE8BDS1-AE-F 数据手册

与EBJ21UE8BDS1-AE-F相关器件

与EBJ21UE8BDS1-AE-F相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

EBJ21UE8BDS1-AE-F

EBJ21UE8BDS1-AE-F 技术参数

EBJ21UE8BDS1-AE-F 数据手册

与EBJ21UE8BDS1-AE-F相关器件

与EBJ21UE8BDS1-AE-F相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？